| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 致谢 | 第8-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-30页 |
| ·引言 | 第13-14页 |
| ·纳米材料概述 | 第14-15页 |
| ·准一维纳米材料及其相关阵列体系的制备方法和相关应用 | 第15-28页 |
| ·一维纳米材料的制备方法 | 第15-20页 |
| ·半导体纳米阵列的制备、性质及用途 | 第20-28页 |
| ·准一维纳米材料的研发方向 | 第28-29页 |
| ·本文的选题背景、研究内容及意义 | 第29-30页 |
| 第二章 实验装置、原理与表征技术 | 第30-35页 |
| ·实验装置简介 | 第30-31页 |
| ·实验设备简介 | 第30页 |
| ·实验装置示意图 | 第30-31页 |
| ·实验原理 | 第31页 |
| ·一维纳米材料的表征方法 | 第31-35页 |
| ·组织形貌与结构分析 | 第31-32页 |
| ·成分分析 | 第32页 |
| ·物性分析 | 第32-35页 |
| 第三章 CdS纳米带的自催化合成及其光学性能研究 | 第35-43页 |
| ·本章概述 | 第35页 |
| ·实验过程与表征手段 | 第35-37页 |
| ·实验原料及主要仪器 | 第35-36页 |
| ·实验过程 | 第36-37页 |
| ·表征手段 | 第37页 |
| ·结果与讨论 | 第37-42页 |
| ·CdS纳米带的成分分析 | 第37-39页 |
| ·CdS纳米带的形貌分析 | 第39页 |
| ·CdS纳米带的结构分析 | 第39-40页 |
| ·CdS纳米带的生长机制分析 | 第40-41页 |
| ·CdS纳米带光致发光图谱分析 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 簇状CdSiO_3纳米线阵列的自催化合成及其光学性能研究 | 第43-54页 |
| ·本章概述 | 第43-44页 |
| ·实验过程及表征手段 | 第44-45页 |
| ·实验原料及主要仪器 | 第44页 |
| ·实验过程 | 第44-45页 |
| ·表征手段 | 第45页 |
| ·试验结果表征分析 | 第45-53页 |
| ·簇状CdSiO_3纳米线阵列的成分分析 | 第45-46页 |
| ·簇状CdSiO_3纳米线阵列的形貌分析 | 第46-48页 |
| ·簇状CdSiO_3纳米线阵列的结构分析 | 第48-49页 |
| ·簇状CdSiO_3纳米线阵列的生长机制分析 | 第49-50页 |
| ·簇状CdSiO_3纳米线阵列的光致发光图谱分析 | 第50-51页 |
| ·簇状CdSiO_3纳米线阵列的热释光图谱分析 | 第51-52页 |
| ·簇状CdSiO_3纳米线阵列的光致发光衰减图谱分析 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 Sn催化生长ZnS纳米棒及其光学性能的研究 | 第54-61页 |
| ·本章概述 | 第54页 |
| ·实验过程与表征手段 | 第54-56页 |
| ·实验原料及主要仪器 | 第55页 |
| ·实验过程 | 第55页 |
| ·表征手段 | 第55-56页 |
| ·结果与讨论 | 第56-59页 |
| ·ZnS纳米棒的成分分析 | 第56-57页 |
| ·ZnS纳米棒的形貌分析 | 第57-58页 |
| ·ZnS纳米棒的生长机制分析 | 第58-59页 |
| ·ZnS纳米棒的光致发光图谱分析 | 第59页 |
| ·本章小结 | 第59-61页 |
| 全文总结与展望 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-69页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第69页 |
