| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第一章 序论 | 第10-27页 |
| ·研究背景 | 第10-14页 |
| ·高频诱导无极光源 | 第10-11页 |
| ·射频无极光源的放电模式特性 | 第11-12页 |
| ·微波诱导光源的分子辐射研究 | 第12-14页 |
| ·发射光谱在等离子体诊断中的应用 | 第14页 |
| ·本论文的主要工作 | 第14-20页 |
| ·各章节内容介绍 | 第14-15页 |
| ·本论文使用的重要实验方法 | 第15-19页 |
| ·本论文的创新点 | 第19-20页 |
| 参考文献 | 第20-27页 |
| 第二章 射频无极光源的放电模式研究 | 第27-48页 |
| ·引言 | 第27页 |
| ·射频无极光源的稳态放电模式研究 | 第27-38页 |
| ·实验构架和实验方法介绍 | 第27-29页 |
| ·放电模式转变和滞后现象 | 第29-31页 |
| ·放电模式转变的频率特性 | 第31-34页 |
| ·匹配条件对放电模式的影响 | 第34-36页 |
| ·发射光谱在不同放电模式下的变化 | 第36-38页 |
| ·射频无极光源的启动瞬态过程研究 | 第38-43页 |
| ·实验构架和实验方法介绍 | 第38-39页 |
| ·实验结果和讨论 | 第39-43页 |
| ·本章小节 | 第43-45页 |
| 参考文献 | 第45-48页 |
| 第三章 射频无极光源放电模式的光谱学诊断 | 第48-70页 |
| ·引言 | 第48页 |
| ·理论基础 | 第48-52页 |
| ·ICP放电模式转变的理论解释 | 第48-50页 |
| ·发射光谱在ICP放电模式研究中的应用 | 第50-52页 |
| ·实验构架和实验方法 | 第52-53页 |
| ·结果与讨论 | 第53-65页 |
| ·发射光谱随放电条件的变化 | 第53-56页 |
| ·电子能量分布和电子温度随放电条件的变化 | 第56-59页 |
| ·亚稳态浓度随放电条件的变化 | 第59-61页 |
| ·方位角环形电场对放电的影响 | 第61-63页 |
| ·放电模式转变和滞后现象的物理解释 | 第63-65页 |
| ·本章小节 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-70页 |
| 第四章 微波诱导等离子体光源的光谱诊断 | 第70-99页 |
| ·引言 | 第70页 |
| ·光源用微波器件与微波功率测量 | 第70-76页 |
| ·光源用微波器件 | 第70-73页 |
| ·微波功率测量和误差分析 | 第73-76页 |
| ·微波等离子体光源光谱诊断的实验设计 | 第76-79页 |
| ·实验构架和实验设备 | 第76-77页 |
| ·光谱仪仪器放宽的消除:光谱的消卷积 | 第77-79页 |
| ·红外热成像仪确定泡壳温度分布 | 第79页 |
| ·Abel转化和Boltzmann Plot确定微波诱导NaI等离子体的温度轮廓 | 第79-84页 |
| ·用Abel转化确定光性薄谱线的发射系数 | 第79-81页 |
| ·Boltzmann Plot确定微波诱导NaI等离子体的温度轮廓 | 第81-84页 |
| ·Boltzmann Plot方法的误差分析 | 第84页 |
| ·用Bartels方法测量微波诱导InI等离子体的温度轮廓 | 第84-90页 |
| ·Bartels方法确定等离子体温度轮廓 | 第84-87页 |
| ·Bartels方法确定InI等离子体温度轮廓 | 第87-88页 |
| ·Bartels方法确定InI等离子体温度轮廓的误差分析 | 第88-90页 |
| ·光谱诊断应用举例:确定金属卤化物灯的汞蒸汽压 | 第90-94页 |
| ·汞蒸汽压确定方法比较 | 第90-92页 |
| ·金属卤化物灯汞蒸汽压的确定 | 第92-94页 |
| ·本章小节 | 第94-96页 |
| 参考文献 | 第96-99页 |
| 第五章 微波等离子体光源的分子辐射特性研究 | 第99-137页 |
| ·引言 | 第99页 |
| ·填充物质和填充量的选择 | 第99-103页 |
| ·填充物的选择和实验样品介绍 | 第99-100页 |
| ·填充量的确定和临界饱和条件判断 | 第100-102页 |
| ·应用举例:InI饱和填充量的确定 | 第102-103页 |
| ·Ⅰ族元素卤化物的微波诱导辐射特性研究 | 第103-104页 |
| ·Ⅲ族元素卤化物的微波诱导辐射特性研究 | 第104-116页 |
| ·微波诱导InI等离子体辐射特性研究 | 第105-113页 |
| ·其他Ⅲ族元素卤化物微波诱导辐射特性研究 | 第113-116页 |
| ·Ⅳ族元素卤化物的微波诱导辐射特性研究 | 第116-117页 |
| ·微波诱导金属卤化物放电的启动特性研究 | 第117-123页 |
| ·微波启动功率的阈值条件 | 第117-119页 |
| ·InI泡壳的启动过程 | 第119-123页 |
| ·微波诱导分子辐射的物理解释 | 第123-131页 |
| ·分子辐射的基本特性 | 第123-124页 |
| ·InI分子可见光谱的物理解释 | 第124-131页 |
| ·本章小节 | 第131-134页 |
| 参考文献 | 第134-137页 |
| 第六章 结论 | 第137-139页 |
| 附录1 分子Morse势计算 | 第139-141页 |
| 发表论文 | 第141-142页 |
| 致谢 | 第142-143页 |
