GaN纳米材料的CVD制备与研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-29页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·GaN的基本性质 | 第11-14页 |
| ·物理特性 | 第11-13页 |
| ·化学特性 | 第13页 |
| ·光学特性 | 第13-14页 |
| ·电学特性 | 第14页 |
| ·GaN薄膜的生长方法 | 第14-20页 |
| ·化学气相沉积(CVD) | 第14-15页 |
| ·氢化物气相外延(HVPE) | 第15-16页 |
| ·金属有机化学气相沉积(MOCVD) | 第16页 |
| ·分子束外延(MBE) | 第16-17页 |
| ·电泳沉积(EPD) | 第17页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD) | 第17-18页 |
| ·磁控溅射法(MS) | 第18-19页 |
| ·溶胶-凝胶法(Sol-Gel) | 第19-20页 |
| ·GaN薄膜生长所使用的衬底 | 第20-21页 |
| ·一维GaN纳米结构的制备方法 | 第21-26页 |
| ·模板生长法 | 第21-23页 |
| ·碳纳米管作模板生长GaN纳米棒 | 第22页 |
| ·氧化锌模板制备GaN纳米管 | 第22-23页 |
| ·氧化铝模板合成GaN纳米线 | 第23页 |
| ·气-液-固合成法 | 第23-25页 |
| ·激光辅助催化法 | 第24页 |
| ·催化剂存在下的化学气相沉积合成法 | 第24-25页 |
| ·催化剂存在下的两步合成法 | 第25页 |
| ·自催气-液-固合成法 | 第25页 |
| ·氧化辅助合成法 | 第25页 |
| ·直接反应法 | 第25-26页 |
| ·GaN材料的应用 | 第26-27页 |
| ·GaN基发光二极管(LEDs) | 第26页 |
| ·GaN基激光二极管(LDs) | 第26页 |
| ·GaN基电子器件 | 第26-27页 |
| ·GaN基紫外光探测器 | 第27页 |
| ·选题依据 | 第27-29页 |
| 第二章 实验试剂、制备仪器和表征方法 | 第29-33页 |
| ·实验试剂 | 第29页 |
| ·实验设备 | 第29-31页 |
| ·喷金系统 | 第29-30页 |
| ·高真空电子束蒸发镀膜机 | 第30页 |
| ·反应装置 | 第30-31页 |
| ·其他仪器 | 第31页 |
| ·样品表征方法 | 第31-33页 |
| ·HRXRD分析 | 第31-32页 |
| ·EDS测定 | 第32页 |
| ·FESEM观察 | 第32页 |
| ·AFM观察 | 第32页 |
| ·PL分析 | 第32-33页 |
| 第三章 GaN薄膜的制备与研究 | 第33-45页 |
| ·引言 | 第33-34页 |
| ·不同衬底上生长GaN薄膜 | 第34-37页 |
| ·样品的制备 | 第34页 |
| ·结果与讨论 | 第34-37页 |
| ·不同缓冲层上生长Si基GaN薄膜 | 第37-43页 |
| ·样品的制备 | 第37页 |
| ·缓冲层的制备 | 第37页 |
| ·GaN薄膜的生长 | 第37页 |
| ·衬底表面形貌的表征 | 第37-38页 |
| ·结果与讨论 | 第38-42页 |
| ·生长机理 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 双辅助剂下GaN微纳材料的制备与研究 | 第45-61页 |
| ·引言 | 第45页 |
| ·辅助剂对合成GaN微纳材料的影响 | 第45-49页 |
| ·样品的制备 | 第45-46页 |
| ·结果与讨论 | 第46-49页 |
| ·双辅助剂下合成GaN微纳材料的生长规律 | 第49-59页 |
| ·不同反应温度对GaN微纳材料生长的影响 | 第49-52页 |
| ·样品制备 | 第49-50页 |
| ·结果与讨论 | 第50-52页 |
| ·不同反应时间对GaN微纳材料生长的影响 | 第52-55页 |
| ·样品制备 | 第52-53页 |
| ·结果与讨论 | 第53-55页 |
| ·不同氨气流量对GaN微纳材料生长的影响 | 第55-58页 |
| ·样品制备 | 第55-56页 |
| ·结果与讨论 | 第56-58页 |
| ·GaN微纳米材料的形成机理 | 第58-59页 |
| ·本章小结 | 第59-61页 |
| 第五章 结论与展望 | 第61-63页 |
| ·结论 | 第61-62页 |
| ·展望 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第74页 |
