| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-13页 |
| 1 绪论 | 第13-31页 |
| ·引言 | 第13-14页 |
| ·纳米ITO 粉末的研究 | 第14-19页 |
| ·透明导电ITO 薄膜的研究 | 第19-27页 |
| ·纳米ITO 材料研究的不足 | 第27-29页 |
| ·本课题的研究目的、技术关键及内容 | 第29-31页 |
| 2 实验与研究方法介绍 | 第31-42页 |
| ·引言 | 第31-32页 |
| ·磁控溅射法沉积ITO 薄膜 | 第32-36页 |
| ·溅射设备介绍 | 第36-38页 |
| ·基片准备 | 第38-39页 |
| ·化学共沉淀法制备纳米ITO 粉末 | 第39-40页 |
| ·试样微结构与性能表征方法 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 3 纳米 ITO 粉末及其复合涂层的制备和表征 | 第42-66页 |
| ·引言 | 第42-43页 |
| ·合成温度对纳米ITO 粉末的影响 | 第43-49页 |
| ·棒状纳米ITO 粉末合成的机理 | 第49-52页 |
| ·PH 值对ITO 粉末形貌的影响 | 第52-58页 |
| ·氯离子对ITO 前驱体的影响 | 第58-60页 |
| ·纳米方块ITO 粉末的形成机理 | 第60-61页 |
| ·纳米ITO/树脂复合涂层的研究 | 第61-64页 |
| ·本章小结 | 第64-66页 |
| 4 靶材的制备及其溅射开裂的解决方案 | 第66-78页 |
| ·引言 | 第66-67页 |
| ·靶材技术指标 | 第67页 |
| ·靶材制备工艺介绍及微观表征 | 第67-70页 |
| ·靶材开裂解决方案 | 第70-72页 |
| ·靶材中毒研究 | 第72-77页 |
| ·结论 | 第77-78页 |
| 5 透明导电 ITO(9:1)薄膜的研究 | 第78-98页 |
| ·引言 | 第78-79页 |
| ·氧流量对薄膜表面和结晶的影响 | 第79-89页 |
| ·溅射负偏压对薄膜表面和结晶的影响 | 第89-93页 |
| ·ITO(9:1)薄膜微观结构形成的物理机理 | 第93-96页 |
| ·结论 | 第96-98页 |
| 6 透明导电 ITO(1:1)薄膜的研究 | 第98-123页 |
| ·前言 | 第98-99页 |
| ·试验 | 第99页 |
| ·氧流量对ITO 薄膜性能的影响 | 第99-105页 |
| ·氩气压强的影响 | 第105-108页 |
| ·溅射时IR 辐射温度（TIR）对ITO 薄膜性能的影响 | 第108-115页 |
| ·退火温度对ITO 薄膜的影响 | 第115-119页 |
| ·沉积方式对ITO 薄膜形貌的影响 | 第119-121页 |
| ·本章小结 | 第121-123页 |
| 7 ITO 薄膜导电机理的研究 | 第123-132页 |
| ·引言 | 第123页 |
| ·薄膜导电理论介绍 | 第123-126页 |
| ·结果与分析 | 第126-131页 |
| ·结论 | 第131-132页 |
| 8 纳米 IAI 透明导电薄膜的制备和研究 | 第132-145页 |
| ·引言 | 第132-133页 |
| ·实验 | 第133页 |
| ·增透膜设计理论 | 第133-136页 |
| ·IAI 膜系设计和光电性能研究 | 第136-140页 |
| ·IAI 膜系中纳米Ag 层界面分析 | 第140-141页 |
| ·复合膜系表面结构的表征 | 第141-143页 |
| ·本章结论 | 第143-145页 |
| 9 全文总结 | 第145-150页 |
| ·主要结论 | 第145-148页 |
| ·论文研究工作的主要创新点 | 第148页 |
| ·需要完善的工作 | 第148-150页 |
| 致谢 | 第150-152页 |
| 参考文献 | 第152-165页 |
| 附录1（攻读博士学位期间发表的论文） | 第165-167页 |
| 附录2（ITO薄膜电性能测试） | 第167-171页 |