| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-15页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·MgB_2 研究的重要性及研究现状 | 第9-12页 |
| ·MgB_2 研究中所存在的问题 | 第12-13页 |
| ·本论文的工作及结构 | 第13-14页 |
| 参考文献 | 第14-15页 |
| 第二章 基本实验方法及测试原理 | 第15-22页 |
| ·基本方法 | 第15-17页 |
| ·薄膜的制备 | 第15-16页 |
| ·块材的制备 | 第16页 |
| ·带材的制备 | 第16-17页 |
| ·结构表征与物性测量 | 第17-21页 |
| ·X 射线衍射 | 第17-18页 |
| ·投射电子显微镜（TEM） | 第18-19页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第19-21页 |
| 参考文献 | 第21-22页 |
| 第三章 PIT方法制备 MgB_2 块材 | 第22-35页 |
| ·引言 | 第22-23页 |
| ·实验药品与仪器 | 第23页 |
| ·PIT 方法制备 MgB_2 块材 | 第23-26页 |
| ·实验结果与讨论 | 第26-33页 |
| ·影响样品密度的主要因素 | 第26-27页 |
| ·硼粉和镁粉不同的配比对样品纯度的影响 | 第27页 |
| ·不同烧结温度对样品纯度的影响 | 第27-28页 |
| ·不同的烧结温度对 MgB_2 块材晶粒生长的影响 | 第28-30页 |
| ·MgB_2 的超导性质 | 第30-33页 |
| ·烧结温度对MgB_2 块材Tc 和△Tc 的影响 | 第30-31页 |
| ·烧结温度对磁化曲线（M-H）的影响 | 第31页 |
| ·烧结温度对临界电流密度（Jc）的影响 | 第31-33页 |
| ·本章小节 | 第33-34页 |
| 参考文献 | 第34-35页 |
| 第四章 快速升温法制备 MgB_2 块材及性能研究 | 第35-51页 |
| ·引言 | 第35页 |
| ·快速升温法制备 MgB_2 块材 | 第35-37页 |
| ·实验结果与讨论 | 第37-49页 |
| ·影响样品密度的主要因素 | 第37-38页 |
| ·烧结温度对样品纯度的影响 | 第38-39页 |
| ·快速升温对MgB_2块材晶粒生长的影响 | 第39-41页 |
| ·烧结时间对MgB_2块材晶粒大小的的影响 | 第41-42页 |
| ·硼粉颗粒大小对MgB_2块材晶粒大小的影响 | 第42-44页 |
| ·TEM 分析及晶面间距的计算 | 第44-46页 |
| ·MgB_2 块材的超导性质 | 第46-49页 |
| ·快速升温对MgB_2 块材临界温度（Tc）的影响 | 第46-47页 |
| ·升温速率对磁化曲线（M-H）的影响 | 第47页 |
| ·快速升温对临界电流密度（Jc）影响 | 第47-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-51页 |
| 第五章 MgB_2掺杂 SiC 颗粒的制备及性能研究 | 第51-66页 |
| ·引言 | 第51-52页 |
| ·样品的制备 | 第52-53页 |
| ·实验结果与讨论 | 第53-64页 |
| ·掺杂 SiC 颗粒的衍射分析 | 第54-55页 |
| ·掺杂对 MgB_2 块材晶粒形貌的影响 | 第55-58页 |
| ·掺杂SiC 对MgB_2 块材晶粒形貌的影响 | 第55-57页 |
| ·不同的烧结温度对MgB_2 块材晶粒形貌的影响 | 第57-58页 |
| ·快速升温不掺杂和慢速升温掺杂的比较 | 第58页 |
| ·MgB_2 块材的 TEM 形貌图和衍射花样 | 第58-59页 |
| ·MgB_2 超导性质 | 第59-64页 |
| ·掺杂对临界温度Tc 的影响 | 第59-60页 |
| ·不同温度下烧结时掺杂对临界温度Tc 的影响 | 第60-61页 |
| ·掺杂对磁化曲线（M-H）的影响 | 第61-62页 |
| ·掺杂对临界电流密度（Jc）的影响 | 第62-64页 |
| ∮1 不同烧结时间和 SiC 的掺杂对临界电流密度的影响 | 第62页 |
| ∮2 不同烧结温度和不同的升温速率对临界电流密度的影响 | 第62-64页 |
| ·本章小节 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-66页 |
| 硕士期间发表论文 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
