| 摘要 | 第1-8页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-33页 |
| §1.1 团簇的研究概况 | 第11-13页 |
| ·团簇简介 | 第11-12页 |
| ·团簇研究进展 | 第12-13页 |
| §1.2 纳米团簇的组装与新材料设计 | 第13-14页 |
| §1.3 过渡金属掺杂硅团簇的研究发展 | 第14-26页 |
| ·引言 | 第14-15页 |
| ·实验进展 | 第15-16页 |
| ·理论进展 | 第16-24页 |
| ·小结 | 第24-26页 |
| §1.4 本论文的工作和创新 | 第26-28页 |
| 参考文献 | 第28-33页 |
| 第二章 理论基础和计算方法 | 第33-57页 |
| §2.1 密度泛函理论(DFT) | 第33-47页 |
| ·密度泛函理论发展介绍 | 第33-34页 |
| ·Thomas-Fermi模型 | 第34-37页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第37-39页 |
| ·精确的密度泛函理论 | 第39-41页 |
| ·局域自旋密度近似 | 第41-42页 |
| ·广义梯度近似 | 第42-44页 |
| ·相对论效应 | 第44-47页 |
| §2.2 含时密度泛函理论(TDDFT) | 第47-51页 |
| ·Runge-Gioss定理 | 第48-49页 |
| ·TD优化有效势(TDOEP) | 第49-50页 |
| ·用TDDFT计算激发态能量 | 第50-51页 |
| §2.3 ADF程序与本论文计算 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 第三章 YbSi_n(n=1-13)团簇的几何及电子结构性质相对论密度泛函研究 | 第57-87页 |
| §3.1 引言 | 第57-59页 |
| §3.2 计算细节 | 第59-65页 |
| ·相对论效应 | 第59-60页 |
| ·计算方法 | 第60-65页 |
| §3.3 结果和讨论 | 第65-82页 |
| ·几何结构和稳定性 | 第66-77页 |
| ·结构演化和布居分析 | 第77-80页 |
| ·平均束缚能与分裂能 | 第80-82页 |
| ·HOMO-LUMO能隙 | 第82页 |
| §3.4 结论 | 第82-84页 |
| 参考文献 | 第84-87页 |
| 第四章 YbSi_n~+和YbSi_n~-(n=1-13)团簇的几何及电子结构性质相对论密度泛函研究 | 第87-115页 |
| §4.1 引言 | 第87-89页 |
| §4.2 计算细节 | 第89页 |
| §4.3 结果与讨论 | 第89-111页 |
| ·几何结构和稳定性变化 | 第89-102页 |
| ·束缚能和分裂能 | 第102-106页 |
| ·布居分析 | 第106-107页 |
| ·绝热电离势、垂直电离势、绝热电子亲和能与垂直电子亲和能 | 第107-110页 |
| ·HOMO-LUMO能隙 | 第110-111页 |
| §4.4 结论 | 第111-112页 |
| 参考文献 | 第112-115页 |
| 第五章 YbSi_n(n=2-13)团簇的激发态含时密度泛函研究 | 第115-143页 |
| §5.1 引言 | 第115-116页 |
| §5.2 计算细节 | 第116-119页 |
| ·基态的计算 | 第116页 |
| ·激发态的计算 | 第116-119页 |
| §5.3 结果和讨论 | 第119-124页 |
| ·基态几何和电子结构分析 | 第119-122页 |
| ·激发态和光谱 | 第122-124页 |
| §5.4 结论 | 第124-140页 |
| 参考文献 | 第140-143页 |
| 第六章 结论与展望 | 第143-146页 |
| 发表与待发表论文 | 第146-147页 |
| 致谢 | 第147页 |
