| 第一章 绪论 | 第1-15页 |
| ·研究的背景和动因 | 第9-10页 |
| ·多值逻辑理论的提出和研究意义 | 第10-11页 |
| ·多值 CMOS电路的研究现状 | 第11-12页 |
| ·神经 MOS晶体管的提出 | 第12-13页 |
| ·论文的研究重点及章节安排 | 第13-15页 |
| 第二章 神经 MOS晶体管概述 | 第15-27页 |
| ·神经MOS管的基本结构和工作原理 | 第15-18页 |
| ·基本结构 | 第15-16页 |
| ·工作原理 | 第16-18页 |
| ·神经 MOS管的模型建立 | 第18-19页 |
| ·神经 MOS管的基本应用 | 第19-23页 |
| ·可变阈值电压晶体管 | 第20页 |
| ·线性电阻 | 第20-21页 |
| ·vMOS反相器 | 第21-22页 |
| ·vMOS源极跟随器及 D/A转换器 | 第22-23页 |
| ·神经 MOS晶体管的特点、研究现状和趋势 | 第23-25页 |
| ·vMOS的主要特点 | 第23-24页 |
| ·vMOS的研究现状 | 第24-25页 |
| ·vMOS的发展趋势 | 第25页 |
| ·将vMOS用于多值逻辑电路设计的意义 | 第25-27页 |
| 第三章 基于vMOS管的多值逻辑电路设计原理 | 第27-38页 |
| ·文字(闭反相)运算(Down Literal Function) | 第27-28页 |
| ·vMOS-DLC的实现 | 第28-34页 |
| ·电路结构 | 第28-29页 |
| ·工作原理 | 第29-31页 |
| ·四值vMOS-DLC | 第31-33页 |
| ·基本应用 | 第33-34页 |
| 1、四值vMOS文字电路 | 第33-34页 |
| 2、四值vMOS-T门电路 | 第34页 |
| ·多值组合逻辑电路的设计原理 | 第34-38页 |
| ·互补型vMOS源极跟随电路 | 第35-36页 |
| ·神经 MOS管 DLC-源极跟随电路结构的提出 | 第36-38页 |
| 第四章 多值组合逻辑电路设计 | 第38-54页 |
| ·多值 DLC-NOT电路的设计 | 第38-42页 |
| ·多值x(?)1电路的实现 | 第42-46页 |
| ·4-2编码器的设计 | 第46-50页 |
| ·2-4译码器的设计 | 第50-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 多值触发器及时序逻辑电路设计 | 第54-67页 |
| ·钟控神经 MOS管的工作原理 | 第54-58页 |
| ·基于钟控vMOS管的多值D锁存器的设计 | 第58-60页 |
| ·多值主从型D触发器的设计 | 第60-62页 |
| ·四位异步四进制加法计数器电路的设计 | 第62-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 第六章 结论与展望 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 附录 | 第73-77页 |
| A.1 CMOS工艺参数 | 第73-77页 |
| 致谢 | 第77页 |