铁电存储器单元与阵列的设计方法研究
| 第1章 引言 | 第1-13页 |
| ·铁电材料及其基本性质 | 第7-8页 |
| ·铁电存储器的发展 | 第8-9页 |
| ·铁电存储器研究中的若干关键问题 | 第9-12页 |
| ·铁电材料的选择和制备 | 第9-10页 |
| ·电极材料的选择问题 | 第10-11页 |
| ·FRAM 的集成工艺问题 | 第11页 |
| ·FRAM 的电路设计和优化 | 第11-12页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第12-13页 |
| 第2章 铁电存储器单元结构的设计与仿真 | 第13-39页 |
| ·铁电存储器基本存储原理 | 第13-16页 |
| ·铁电电容模型 | 第16-17页 |
| ·灵敏放大器的设计 | 第17-22页 |
| ·存储单元的模拟仿真 | 第22-38页 |
| ·位线电容的选择 | 第23-24页 |
| ·1T1C 单元结构的仿真 | 第24-34页 |
| ·1C′/BL 参考单元 | 第24-27页 |
| ·0.5C×2/BL 参考单元 | 第27-29页 |
| ·0.5C/0.58L 参考单元 | 第29-32页 |
| ·2C/28L 参考单元 | 第32-34页 |
| ·链式单元结构的仿真 | 第34-38页 |
| ·小结 | 第38-39页 |
| 第3章 铁电存储器版图设计及工艺测试 | 第39-52页 |
| ·流水工艺参数简介与版图设计 | 第39-41页 |
| ·FRAM 测试 | 第41-51页 |
| ·前端CMOS 工艺测试 | 第41-45页 |
| ·后端FRAM 工艺测试 | 第45-51页 |
| ·小结 | 第51-52页 |
| 第4章 4 kb 铁电存储阵列设计方法初步研究 | 第52-59页 |
| ·存储模块和灵敏放大器模块 | 第53-54页 |
| ·译码模块 | 第54-57页 |
| ·PL 产生模块 | 第57页 |
| ·整体模拟结果 | 第57-58页 |
| ·小结 | 第58-59页 |
| 第5章 结论 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 致谢与声明 | 第64-65页 |
| 附录A | 第65-67页 |
| 附录B | 第67-68页 |
| 附录C | 第68-70页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第70页 |
