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氘化金属靶中D(d,p)T反应电子屏蔽效应温度相关性的实验研究

图索引第1-7页
表索引第7-8页
中文摘要第8-10页
英文摘要第10-12页
第一章 电子屏蔽效应概述第12-18页
 1.1 引言第12-13页
 1.2 核天体物理中的几个基本概念第13-15页
 1.3 带电粒子核反应中的电子屏蔽效应第15-18页
第二章 国际上电子屏蔽效应研究的进展与现状第18-32页
 2.1 电子屏蔽效应的实验研究第18-21页
 2.2 电子屏蔽效应的理论研究第21-25页
 2.3 实验结果与理论模型的差异第25-27页
 2.4 德国鲁尔大学DTL实验室D(d,p)T反应电子屏蔽效应的实验研究第27-32页
第三章 电子屏蔽效应温度相关性的实验研究第32-54页
 3.1 电子屏蔽效应温度相关性实验的提出第32-37页
 3.2 鲁尔大学DTL实验室100kV加速器概况第37-38页
 3.3 实验设置第38-40页
 3.4 靶加热装置第40-48页
 3.5 实验方法第48-50页
 3.6 数据分析第50-54页
第四章 实验结果及讨论第54-63页
 4.1 金属元素中电子屏蔽势随温度变化曲线的测量第54-57页
 4.2 第三、四族元素及镧系元素第57-61页
 4.3 分析与讨论第61-63页
第五章 读博期间参加的其它研究工作第63-75页
 5.1 HI-13串列加速器上的次级束实验装置第63-65页
 5.2 读博期间参与的~11C(d,n)~12N和~8Li(d,p)~9Li反应研究第65-75页
第六章 论文总结第75-77页
本人在攻读博士期间发表的论文第77-79页
致谢第79-80页
参考文献第80-83页
附录1: 电子屏蔽效应倍增因子的导出第83-84页
附录2: 氘在介质中的溶度y第84-85页
附录3: 霍尔效应与霍尔系数第85-87页
附录4: 可加工陶瓷的特性第87-90页
附录5: 可加工陶瓷的清洁方法第90-92页
附录6: 金刚石的清洁方法第92-93页

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