| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-11页 |
| 第二章 Flash存储器结构的演化 | 第11-23页 |
| ·Flash存储器的单元结构演化 | 第12-20页 |
| ·沟道工程 | 第13-16页 |
| ·多级单元 | 第16-18页 |
| ·单管多位技术 | 第18-20页 |
| ·Flash存储器的阵列结构演化 | 第20-23页 |
| ·NAND结构 | 第21页 |
| ·NOR结构 | 第21页 |
| ·DINOR结构 | 第21-22页 |
| ·ACEE结构 | 第22-23页 |
| 第三章 2bit-MNOS结构闪速存储器的结构设计及工作原理 | 第23-34页 |
| ·2bit-MNOS结构闪速存储器的单元结构设计 | 第24-25页 |
| ·2bit-MNOS结构闪速存储器的写入机制 | 第25-28页 |
| ·沟道热电子注入(Channel Hot Electron Injection)原理 | 第25-27页 |
| ·2bit-MNOS结构闪速存储器的写入操作设计 | 第27-28页 |
| ·2bit-MNOS结构闪速存储器的擦除机制 | 第28-32页 |
| ·Fowler-Nordheim隧穿效应 | 第28-30页 |
| ·带带隧穿(Band-to-Band Tunneling)效应与热空穴注入(hot-hole injection,HHI) | 第30-31页 |
| ·2bit-MNOS结构闪速存储器的擦除操作设计 | 第31-32页 |
| ·2bit-MNOS结构闪速存储器的读取操作设计 | 第32-34页 |
| 第四章 2bit-MNOS结构闪存器件的工作特性及可靠性研究 | 第34-51页 |
| ·二维器件模拟软件AMPS—1D简介 | 第34-35页 |
| ·2bit-MNOS结构闪存器件存储单元工艺参数的确定 | 第35-39页 |
| ·器件栅长的确定 | 第35-38页 |
| ·栅氧化层厚度的确定 | 第38-39页 |
| ·2bit-MNOS结构闪存器件单元的工作特性研究 | 第39-44页 |
| ·器件写入特性研究 | 第39-41页 |
| ·器件擦除特性研究 | 第41-43页 |
| ·2bit-MNOS器件读取特性研究 | 第43-44页 |
| ·2bit-MNOS器件的可靠性研究 | 第44-51页 |
| ·MNOS结构保留特性理论 | 第44-49页 |
| ·2bit-MNOS结构闪存器件保留特性仿真 | 第49-51页 |
| 第五章 结论 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-62页 |
| 论文发表情况 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
