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Ⅲ-Ⅴ族半导体多量子阱多模干涉型光子器件研究

摘要第1-5页
Abstract第5-8页
第一章 绪论第8-20页
   ·光通信技术及光子器件简介第8-10页
     ·光网络和WDM技术第8-9页
     ·用于WDM系统的光子器件第9-10页
   ·平面光波光路器件第10-11页
     ·平面光波光路器件简介第10页
     ·波导型耦合器/功分器第10-11页
     ·耦合器材料第11页
   ·多模干涉型耦合器第11-13页
   ·多模干涉型耦合器的研究现状第13-16页
     ·多模干涉耦合器研究及应用现状第14-16页
     ·存在的主要问题第16页
   ·本文主要工作第16-20页
第二章 多模干涉自镜像原理第20-33页
   ·普通干涉自镜像效应第20-25页
     ·N×N情形第20-24页
     ·1×N情形第24-25页
     ·2×N情形第25页
   ·重叠干涉自镜像效应第25-29页
     ·1×N情形第26-27页
     ·2×N情形第27-28页
     ·N×N情形第28-29页
   ·非矩形结构的自镜像效应第29-30页
   ·广义N×N多模干涉马赫-曾德尔光开关工作原理第30-32页
     ·多模干涉耦合器的场传输矩阵与传输方程第30-31页
     ·多模干涉马赫-曾德尔光开关的光场传输方程第31页
     ·分析讨论第31-32页
   ·本章小结第32-33页
第三章 电极设计与优化第33-44页
   ·光波导材料的物理效应第33-35页
     ·电光效应第33页
     ·电吸收效应第33-35页
   ·电极设计及优化第35-42页
     ·集总电极第35-36页
     ·行波电极第36-42页
   ·本章小结第42-44页
第四章 多量子阱多模干涉耦合器及分功器的设计及优化第44-58页
   ·器件基本参数第44-47页
     ·材料结构第44-45页
     ·光波导结构第45-47页
     ·S弯曲波导结构第47页
   ·2×2可调多模干涉InP/InGaAsP多量子阱耦合器第47-51页
   ·Butterfly型可调多模干涉InP/InGaAsP多量子阱耦合器第51-53页
   ·1×2 可调多模干涉InP/InGaAsP多量子阱分功器第53-55页
     ·多模波导结构设计第53页
     ·特性分析第53-54页
     ·偏振态的影响第54-55页
   ·4×4 多模干涉InP/InGaAsP多量子阱耦合器第55-56页
   ·级联型1×4 多模干涉InP/InGaAsP多量子阱耦合器第56-57页
   ·本章小结第57-58页
第五章 多量子阱多模干涉型光开关/调制器设计及优化第58-62页
   ·1×1 多模干涉型行波调制器第58-59页
     ·设计考虑第58页
     ·结构设计第58页
     ·优化分析第58-59页
     ·器件的整体性能第59页
   ·2×2 多量子阱多模干涉型光开关第59-61页
     ·设计考虑第59-60页
     ·结构设计第60页
     ·优化分析第60页
     ·器件的整体性能第60-61页
   ·本章小结第61-62页
第六章 InP/InGaAsP-MQW-PLCs的制作和测试分析第62-72页
   ·加工制作流程第62-64页
     ·InP/InGaAsP多量子阱材料的分子束外延生长第62页
     ·衬底制备第62页
     ·器件图形加工第62-63页
     ·器件的切割与封装第63-64页
   ·器件的测试平台第64-65页
     ·81910A光子全参数测试系统第64页
     ·光纤与波导对准耦合系统第64-65页
   ·InP/InGaAsP-2×2MMI型耦合器的测试分析第65-66页
   ·InP/InGaAsP-2×2 Butterfly MMI型耦合器的测试分析第66-67页
   ·InP/InGaAsP-MQW 4×4MMI型分路器的测试分析第67-68页
   ·InP/InGaAsP-MQW 1×4MMI型耦合器型的测试分析第68-69页
   ·InP/InGaAsP-M-Z型MQW光调制器的测试分析第69-70页
   ·InP/InGaAsP-M-Z型MQW光开关的测试分析第70-71页
   ·本章小结第71-72页
总结第72-74页
致谢第74-75页
攻读硕士学位期间完成的学术论文及参加的科研项目第75页

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