摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-8页 |
第一章 绪论 | 第8-20页 |
·光通信技术及光子器件简介 | 第8-10页 |
·光网络和WDM技术 | 第8-9页 |
·用于WDM系统的光子器件 | 第9-10页 |
·平面光波光路器件 | 第10-11页 |
·平面光波光路器件简介 | 第10页 |
·波导型耦合器/功分器 | 第10-11页 |
·耦合器材料 | 第11页 |
·多模干涉型耦合器 | 第11-13页 |
·多模干涉型耦合器的研究现状 | 第13-16页 |
·多模干涉耦合器研究及应用现状 | 第14-16页 |
·存在的主要问题 | 第16页 |
·本文主要工作 | 第16-20页 |
第二章 多模干涉自镜像原理 | 第20-33页 |
·普通干涉自镜像效应 | 第20-25页 |
·N×N情形 | 第20-24页 |
·1×N情形 | 第24-25页 |
·2×N情形 | 第25页 |
·重叠干涉自镜像效应 | 第25-29页 |
·1×N情形 | 第26-27页 |
·2×N情形 | 第27-28页 |
·N×N情形 | 第28-29页 |
·非矩形结构的自镜像效应 | 第29-30页 |
·广义N×N多模干涉马赫-曾德尔光开关工作原理 | 第30-32页 |
·多模干涉耦合器的场传输矩阵与传输方程 | 第30-31页 |
·多模干涉马赫-曾德尔光开关的光场传输方程 | 第31页 |
·分析讨论 | 第31-32页 |
·本章小结 | 第32-33页 |
第三章 电极设计与优化 | 第33-44页 |
·光波导材料的物理效应 | 第33-35页 |
·电光效应 | 第33页 |
·电吸收效应 | 第33-35页 |
·电极设计及优化 | 第35-42页 |
·集总电极 | 第35-36页 |
·行波电极 | 第36-42页 |
·本章小结 | 第42-44页 |
第四章 多量子阱多模干涉耦合器及分功器的设计及优化 | 第44-58页 |
·器件基本参数 | 第44-47页 |
·材料结构 | 第44-45页 |
·光波导结构 | 第45-47页 |
·S弯曲波导结构 | 第47页 |
·2×2可调多模干涉InP/InGaAsP多量子阱耦合器 | 第47-51页 |
·Butterfly型可调多模干涉InP/InGaAsP多量子阱耦合器 | 第51-53页 |
·1×2 可调多模干涉InP/InGaAsP多量子阱分功器 | 第53-55页 |
·多模波导结构设计 | 第53页 |
·特性分析 | 第53-54页 |
·偏振态的影响 | 第54-55页 |
·4×4 多模干涉InP/InGaAsP多量子阱耦合器 | 第55-56页 |
·级联型1×4 多模干涉InP/InGaAsP多量子阱耦合器 | 第56-57页 |
·本章小结 | 第57-58页 |
第五章 多量子阱多模干涉型光开关/调制器设计及优化 | 第58-62页 |
·1×1 多模干涉型行波调制器 | 第58-59页 |
·设计考虑 | 第58页 |
·结构设计 | 第58页 |
·优化分析 | 第58-59页 |
·器件的整体性能 | 第59页 |
·2×2 多量子阱多模干涉型光开关 | 第59-61页 |
·设计考虑 | 第59-60页 |
·结构设计 | 第60页 |
·优化分析 | 第60页 |
·器件的整体性能 | 第60-61页 |
·本章小结 | 第61-62页 |
第六章 InP/InGaAsP-MQW-PLCs的制作和测试分析 | 第62-72页 |
·加工制作流程 | 第62-64页 |
·InP/InGaAsP多量子阱材料的分子束外延生长 | 第62页 |
·衬底制备 | 第62页 |
·器件图形加工 | 第62-63页 |
·器件的切割与封装 | 第63-64页 |
·器件的测试平台 | 第64-65页 |
·81910A光子全参数测试系统 | 第64页 |
·光纤与波导对准耦合系统 | 第64-65页 |
·InP/InGaAsP-2×2MMI型耦合器的测试分析 | 第65-66页 |
·InP/InGaAsP-2×2 Butterfly MMI型耦合器的测试分析 | 第66-67页 |
·InP/InGaAsP-MQW 4×4MMI型分路器的测试分析 | 第67-68页 |
·InP/InGaAsP-MQW 1×4MMI型耦合器型的测试分析 | 第68-69页 |
·InP/InGaAsP-M-Z型MQW光调制器的测试分析 | 第69-70页 |
·InP/InGaAsP-M-Z型MQW光开关的测试分析 | 第70-71页 |
·本章小结 | 第71-72页 |
总结 | 第72-74页 |
致谢 | 第74-75页 |
攻读硕士学位期间完成的学术论文及参加的科研项目 | 第75页 |