射频磁控溅射镀膜过程中离子输运和溅射行为的模拟计算
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| 1．1 引言 | 第11-12页 |
| 1．2 薄膜材料 | 第12页 |
| 1．3 等离子体镀膜技术 | 第12-14页 |
| 1．4 等离子体镀膜技术研究 | 第14-19页 |
| 1．4．1 镀膜过程中等离子体输运过程的研究现状 | 第15-16页 |
| 1．4．2 靶材溅射模拟过程的研究现状 | 第16-18页 |
| 1．4．3 薄膜生长过程的研究现状 | 第18-19页 |
| 1．5 本文研究的目的、意义和方法 | 第19-21页 |
| 第二章 射频磁控溅射系统 | 第21-26页 |
| 2．1 溅射镀膜的过程及特点 | 第21页 |
| 2．2 射频磁控溅射镀膜的特点 | 第21-22页 |
| 2．3 射频溅射系统中的机理 | 第22-23页 |
| 2．4 射频磁控溅射镀膜设备 | 第23-25页 |
| 2．5 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 近表面等离子体粒子输运模拟计算 | 第26-75页 |
| 3．1 等离子体概述 | 第26-32页 |
| 3．1．1 等离子体的产生原理 | 第26-28页 |
| 3．1．2 等离子体的几个特征参量 | 第28-32页 |
| 3．2 射频辉光放电的阴极鞘层 | 第32-40页 |
| 3．2．1 等离子体鞘层 | 第33-40页 |
| 3．3 输运模型的建立 | 第40-55页 |
| 3．3．1 坐标系约定 | 第41页 |
| 3．3．2 输入参数设置选择 | 第41-43页 |
| 3．3．3 磁场的影响和被输运离子的产生 | 第43-44页 |
| 3．3．4 鞘层参数的确定 | 第44页 |
| 3．3．6 背景气体分子的速度 | 第44-46页 |
| 3．3．7 飞行粒子和背景气体分子间的作用势能 | 第46-47页 |
| 3．3．8 粒子间弹性碰撞 | 第47-50页 |
| 3．3．9 碰撞后的粒子状态 | 第50-52页 |
| 3．3．10 碰撞截面 | 第52-54页 |
| 3．3．11 跟踪粒子自由飞行距离 | 第54-55页 |
| 3．4 粒子输运过程模拟 | 第55-62页 |
| 3．4．1 离子输运的计算机模拟 | 第56-60页 |
| 3．4．2 溅射原子输运的计算机模拟 | 第60-62页 |
| 3．5 主要模拟结果 | 第62-73页 |
| 3．5．1 离子到达靶面的位置 | 第63-64页 |
| 3．5．2 靶面离子能量分布 | 第64-65页 |
| 3．5．3 气流压强、流量对离子角度分布的影响 | 第65-67页 |
| 3．5．4 鞘层空间离子能量分布 | 第67-69页 |
| 3．5．5 溅射原子输运模拟结果 | 第69-73页 |
| 3．6 本章小结 | 第73-75页 |
| 第四章 靶材的溅射 | 第75-91页 |
| 4．1 靶材溅射的机理及模拟方法 | 第75-78页 |
| 4．1．1 入射离子和靶原子间的相互作用 | 第75-76页 |
| 4．1．2 靶材的溅射过程 | 第76-77页 |
| 4．1．3 溅射的计算机模拟方法 | 第77-78页 |
| 4．2 SRIM简介 | 第78-80页 |
| 4．3 模拟结果 | 第80-89页 |
| 4．3．1 溅射原子的位置分布 | 第80-83页 |
| 4．3．2 溅射原子的能量分布 | 第83-86页 |
| 4．3．3 溅射原子的角度分布 | 第86-87页 |
| 4．3．4 溅射产额的变化规律 | 第87-89页 |
| 4．4 本章小结 | 第89-91页 |
| 结论 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-97页 |
| 致谢 | 第97-99页 |
