中文摘要 | 第1-4页 |
ABSTRACT | 第4-9页 |
第一章 绪论 | 第9-34页 |
·引言 | 第9-10页 |
·温差电基本原理 | 第10-13页 |
·塞贝克效应 | 第10-11页 |
·帕尔帖效应 | 第11页 |
·汤姆逊效应 | 第11页 |
·温差电优值 | 第11-13页 |
·温差电材料的发展现状 | 第13-33页 |
·新材料的研制 | 第13-24页 |
·Skutterudites | 第13-16页 |
·Clathrates | 第16-17页 |
·Half-Heusler | 第17-19页 |
·氧化物 | 第19-20页 |
·五价碲化物 | 第20-22页 |
·β-Zn_4Sb_3 | 第22-23页 |
·其它温差电材料 | 第23-24页 |
·低维温差电学 | 第24-33页 |
·低维温差电材料的量子效应 | 第24-27页 |
·低维温差电材料的研究现状 | 第27-32页 |
·低维温差电材料的应用前景 | 第32-33页 |
·本课题研究的主要内容及意义 | 第33-34页 |
第二章 Bi_2Te_3基温差电材料电沉积过程分析 | 第34-57页 |
·前言 | 第34-35页 |
·实验方法 | 第35-37页 |
·实验仪器 | 第35页 |
·溶液体系 | 第35-36页 |
·电化学测试 | 第36-37页 |
·电化学测试装置 | 第36-37页 |
·循环伏安曲线测试 | 第37页 |
·阴极极化曲线测试 | 第37页 |
·交流阻抗测试 | 第37页 |
·组成及物相分析 | 第37页 |
·结果与讨论 | 第37-55页 |
·单组分溶液体系 | 第37-41页 |
·二元溶液体系 | 第41-49页 |
·Bi-Te 体系 | 第41-46页 |
·Sb-Te 体系 | 第46-49页 |
·三元溶液体系 | 第49-55页 |
·本章小结 | 第55-57页 |
第三章 Bi_2Te_3基薄膜温差电材料的制备、表征及性能研究 | 第57-80页 |
·前言 | 第57页 |
·实验方法 | 第57-61页 |
·实验仪器 | 第57-58页 |
·电沉积溶液组成 | 第58页 |
·试样及前处理工艺 | 第58-59页 |
·电沉积工艺 | 第59-60页 |
·组成及结构分析 | 第60页 |
·温差电性能分析 | 第60-61页 |
·结果与讨论 | 第61-78页 |
·Bi_2Te_3 薄膜 | 第61-68页 |
·Bi_2Te_3薄膜的制备 | 第61-62页 |
·电沉积Bi_2Te_3薄膜的组成及结构表征 | 第62-64页 |
·电沉积Bi_2Te_3薄膜温差电性能研究 | 第64-68页 |
·Bi_(2-x)Sb_xTe_3 薄膜 | 第68-78页 |
·Bi_(2-x)Sb_xTe_3 薄膜的制备 | 第68-70页 |
·电沉积Bi_(2-x)Sb_xTe_3 薄膜的组成及结构表征 | 第70-75页 |
·电沉积Bi_(2-x)Sb_xTe_3 薄膜温差电性能研究 | 第75-78页 |
·本章小结 | 第78-80页 |
第四章 Bi_2Te_3基纳米线阵列温差电材料的制备、表征及性能研究 | 第80-106页 |
·前言 | 第80-81页 |
·实验方法 | 第81-85页 |
·实验仪器 | 第81-82页 |
·多孔氧化铝模板的制备 | 第82-83页 |
·电沉积溶液组成 | 第83页 |
·模板法制备Bi_2Te_3基纳米线阵列 | 第83-84页 |
·组成及结构分析 | 第84页 |
·温差电性能分析 | 第84-85页 |
·结果与讨论 | 第85-103页 |
·多孔氧化铝模板 | 第85页 |
·Bi_2Te_3 纳米线 | 第85-95页 |
·Bi_2Te_3 纳米线电化学制备工艺的研究 | 第85-89页 |
·电沉积Bi_2Te_3 纳米线的组成及结构表征 | 第89-94页 |
·电沉积Bi_2Te_3 纳米线温差电性能的研究 | 第94-95页 |
·Bi_(2-x)Sb_xTe_3 纳米线 | 第95-103页 |
·Bi_(2-x)Sb_xTe_3 纳米线电化学制备工艺的研究 | 第95-97页 |
·电沉积Bi_(2-x)Sb_xTe_3 纳米线的组成及结构表征 | 第97-99页 |
·电沉积Bi_(2-x)Sb_xTe_3 纳米线温差电性能的研究 | 第99-103页 |
·本章结论 | 第103-106页 |
第五章 结论 | 第106-110页 |
参考文献 | 第110-120页 |
攻读博士学位期间发表论文和科研情况 | 第120-121页 |
致谢 | 第121页 |