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Bi2Te3基温差电材料薄膜和一维纳米线的电化学制备、表征及形成机理研究

中文摘要第1-4页
ABSTRACT第4-9页
第一章 绪论第9-34页
   ·引言第9-10页
   ·温差电基本原理第10-13页
     ·塞贝克效应第10-11页
     ·帕尔帖效应第11页
     ·汤姆逊效应第11页
     ·温差电优值第11-13页
   ·温差电材料的发展现状第13-33页
     ·新材料的研制第13-24页
       ·Skutterudites第13-16页
       ·Clathrates第16-17页
       ·Half-Heusler第17-19页
       ·氧化物第19-20页
       ·五价碲化物第20-22页
       ·β-Zn_4Sb_3第22-23页
       ·其它温差电材料第23-24页
     ·低维温差电学第24-33页
       ·低维温差电材料的量子效应第24-27页
       ·低维温差电材料的研究现状第27-32页
       ·低维温差电材料的应用前景第32-33页
   ·本课题研究的主要内容及意义第33-34页
第二章 Bi_2Te_3基温差电材料电沉积过程分析第34-57页
   ·前言第34-35页
   ·实验方法第35-37页
     ·实验仪器第35页
     ·溶液体系第35-36页
     ·电化学测试第36-37页
       ·电化学测试装置第36-37页
       ·循环伏安曲线测试第37页
       ·阴极极化曲线测试第37页
       ·交流阻抗测试第37页
     ·组成及物相分析第37页
   ·结果与讨论第37-55页
     ·单组分溶液体系第37-41页
     ·二元溶液体系第41-49页
       ·Bi-Te 体系第41-46页
       ·Sb-Te 体系第46-49页
     ·三元溶液体系第49-55页
   ·本章小结第55-57页
第三章 Bi_2Te_3基薄膜温差电材料的制备、表征及性能研究第57-80页
   ·前言第57页
   ·实验方法第57-61页
     ·实验仪器第57-58页
     ·电沉积溶液组成第58页
     ·试样及前处理工艺第58-59页
     ·电沉积工艺第59-60页
     ·组成及结构分析第60页
     ·温差电性能分析第60-61页
   ·结果与讨论第61-78页
     ·Bi_2Te_3 薄膜第61-68页
       ·Bi_2Te_3薄膜的制备第61-62页
       ·电沉积Bi_2Te_3薄膜的组成及结构表征第62-64页
       ·电沉积Bi_2Te_3薄膜温差电性能研究第64-68页
     ·Bi_(2-x)Sb_xTe_3 薄膜第68-78页
       ·Bi_(2-x)Sb_xTe_3 薄膜的制备第68-70页
       ·电沉积Bi_(2-x)Sb_xTe_3 薄膜的组成及结构表征第70-75页
       ·电沉积Bi_(2-x)Sb_xTe_3 薄膜温差电性能研究第75-78页
   ·本章小结第78-80页
第四章 Bi_2Te_3基纳米线阵列温差电材料的制备、表征及性能研究第80-106页
   ·前言第80-81页
   ·实验方法第81-85页
     ·实验仪器第81-82页
     ·多孔氧化铝模板的制备第82-83页
     ·电沉积溶液组成第83页
     ·模板法制备Bi_2Te_3基纳米线阵列第83-84页
     ·组成及结构分析第84页
     ·温差电性能分析第84-85页
   ·结果与讨论第85-103页
     ·多孔氧化铝模板第85页
     ·Bi_2Te_3 纳米线第85-95页
       ·Bi_2Te_3 纳米线电化学制备工艺的研究第85-89页
       ·电沉积Bi_2Te_3 纳米线的组成及结构表征第89-94页
       ·电沉积Bi_2Te_3 纳米线温差电性能的研究第94-95页
     ·Bi_(2-x)Sb_xTe_3 纳米线第95-103页
       ·Bi_(2-x)Sb_xTe_3 纳米线电化学制备工艺的研究第95-97页
       ·电沉积Bi_(2-x)Sb_xTe_3 纳米线的组成及结构表征第97-99页
       ·电沉积Bi_(2-x)Sb_xTe_3 纳米线温差电性能的研究第99-103页
   ·本章结论第103-106页
第五章 结论第106-110页
参考文献第110-120页
攻读博士学位期间发表论文和科研情况第120-121页
致谢第121页

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