| 摘要 | 第1-5页 |
| 目录 | 第5-8页 |
| 第一章 前言 | 第8-11页 |
| 1．1 论文的背景及意义 | 第8页 |
| 1．2 论文的研究内容与体系结构 | 第8-11页 |
| 第二章 红外成像技术 | 第11-20页 |
| 2．1 红外成像的原理及应用 | 第11-13页 |
| 2．1．1 红外成像的原理 | 第11-12页 |
| 2．1．2 红外成像的应用 | 第12-13页 |
| 2．2 红外成像系统的性能参数 | 第13-14页 |
| 2．2．1 响应度 | 第13页 |
| 2．2．2 噪声等效功率 | 第13-14页 |
| 2．2．3 探测灵敏度 | 第14页 |
| 2．2．4 噪声等效温差 | 第14页 |
| 2．3 红外焦平面阵列 | 第14-16页 |
| 2．4 国内外非制冷红外成像技术的研究现状 | 第16-19页 |
| 2．5 本章小结 | 第19-20页 |
| 第三章 微细加工技术 | 第20-29页 |
| 3．1 常规CMOS工艺 | 第20-26页 |
| 3．1．1 薄膜技术 | 第21-22页 |
| 3．1．2 光刻技术 | 第22-24页 |
| 3．1．3 刻蚀技术 | 第24-25页 |
| 3．1．4 其它工艺技术 | 第25-26页 |
| 3．2 体硅工艺技术 | 第26-27页 |
| 3．3 硅表面微细加工技术 | 第27-28页 |
| 3．4 本章小结 | 第28-29页 |
| 第四章 敏感材料多晶硅的研究 | 第29-39页 |
| 4．1 多晶硅的电学性能 | 第29-31页 |
| 4．1．1 基本理论模型 | 第29-30页 |
| 4．1．2 掺杂浓度的影响 | 第30页 |
| 4．1．3 退火温度的影响 | 第30-31页 |
| 4．2 多晶硅薄膜的生长研究 | 第31-35页 |
| 4．2．1 多晶硅薄膜的生长 | 第31-32页 |
| 4．2．2 多晶硅薄膜的测试与分析 | 第32-35页 |
| 4．3 多晶硅的电阻温度系数研究 | 第35-37页 |
| 4．3．1 多晶硅电阻的设计与制作 | 第35-36页 |
| 4．3．2 多晶硅电阻温度系数的测试与分析 | 第36-37页 |
| 4．4 本章小结 | 第37-39页 |
| 第五章 红外阵列结构的设计与制作 | 第39-52页 |
| 5．1 红外吸收材料的设计 | 第40页 |
| 5．2 热隔离结构的设计与分析 | 第40-43页 |
| 5．3 阵列版图的设计 | 第43-45页 |
| 5．5 阵列制作工艺流程及流片结果 | 第45-51页 |
| 5．5．1 背面腐蚀窗口制作流程 | 第45页 |
| 5．5．2 多晶硅敏感单元制作流程 | 第45-46页 |
| 5．5．3 正面引线制作流程 | 第46页 |
| 5．5．4 悬臂梁制作流程 | 第46-47页 |
| 5．5．5 镂空结构的实现 | 第47页 |
| 5．5．6 多晶硅敏感单元的双保护介绍 | 第47-49页 |
| 5．5．6．1 用 Crystal bond 509胶保护 | 第47-48页 |
| 5．5．6．2 用氧化硅腐蚀停止层保护 | 第48-49页 |
| 5．5．7 流片结果 | 第49-51页 |
| 5．6 本章小结 | 第51-52页 |
| 第六章 红外阵列与 CMOS电路的集成设计 | 第52-57页 |
| 6．1 传感器与 CMOS电路的集成方式 | 第52-54页 |
| 6．1．1 单片集成 | 第52页 |
| 6．1．2 混合集成 | 第52-54页 |
| 6．2 面阵列传感器与 CMOS电路的集成设计 | 第54-56页 |
| 6．2．1 集成设计面临的主要问题 | 第54-55页 |
| 6．2．2 集成方案的设计 | 第55-56页 |
| 6．3 本章小结 | 第56-57页 |
| 结论 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 攻读学位期间发表的论文 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-64页 |
| 本论文成果声明 | 第64页 |