| 摘 要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-21页 |
| ·太阳能电池的发展概况 | 第10-11页 |
| ·a-Si:H 的发展与现状 | 第11-14页 |
| ·a-Si:H 薄膜的历史发展 | 第12-13页 |
| ·a-Si:H 薄膜的研究现状 | 第13-14页 |
| ·a-Si:H 薄膜的基本理论 | 第14-20页 |
| ·非晶态半导体与晶态半导体的比较 | 第14-15页 |
| ·a-Si:H 薄膜的结构特点 | 第15-17页 |
| ·a-Si:H 的生长机制 | 第17-19页 |
| ·a-Si:H 的主要应用领域 | 第19-20页 |
| ·本论文的研究目的及内容 | 第20-21页 |
| 第2章 氢化非晶硅制备系统与测试手段 | 第21-35页 |
| ·引言 | 第21页 |
| ·a-Si:H 制备方法与 MWECR CVD | 第21-26页 |
| ·氢化非晶硅的传统制备方法 | 第21-23页 |
| ·MWECR-CVD 制备 a-Si:H | 第23-26页 |
| ·a-Si:H 的微结构测试分析 | 第26-34页 |
| ·傅立叶红外光谱技术 | 第27-30页 |
| ·紫外与可见光光谱技术 | 第30-32页 |
| ·喇曼散射光谱技术 | 第32-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第3章 MWECR-CVD 制备的氢化非晶硅薄膜 | 第35-46页 |
| ·引言 | 第35页 |
| ·实验室制备 a-Si:H | 第35-38页 |
| ·实验室制备系统 | 第35-36页 |
| ·a-Si:H 制备基片与测试仪器 | 第36-38页 |
| ·a-Si:H 薄膜制备实验与分析 | 第38-45页 |
| ·a-Si:H 薄膜制备 | 第38-39页 |
| ·a-Si:H 薄膜 FTIR 分析 | 第39-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第4章 a-Si:H 中氢含量及键合方式的红外分析 | 第46-60页 |
| ·引言 | 第46页 |
| ·a-Si:H 中的含氢量 | 第46-53页 |
| ·红外吸收强度 | 第47-48页 |
| ·FTIR 透过谱到吸收系数谱的转换 | 第48-51页 |
| ·红外吸收谱的高斯拟合 | 第51页 |
| ·氢含量与摇摆模式 | 第51-53页 |
| ·氢含量与伸缩模式 | 第53页 |
| ·衬底温度对氢含量的影响 | 第53-56页 |
| ·H2/SiH4 对氢含量的影响 | 第56-59页 |
| ·H2/SiH4 与总氢含量 | 第56-57页 |
| ·H2/SiH4 与键合方式 | 第57-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第5章 a-Si:H 薄膜的喇曼分析与光学带隙 | 第60-74页 |
| ·引言 | 第60-61页 |
| ·a-Si:H 的喇曼分析 | 第60页 |
| ·a-Si:H 的光学带隙 | 第60-61页 |
| ·Raman 散射的基本原理 | 第61-64页 |
| ·Raman 散射的经典解释 | 第61-63页 |
| ·非晶硅的 Raman 散射 | 第63-64页 |
| ·a-Si:H 的喇曼测试 | 第64-68页 |
| ·衬底温度与喇曼分析 | 第64-66页 |
| ·a-Si:H 的退火与喇曼分析 | 第66-68页 |
| ·a-Si:H 的光学带隙 | 第68-70页 |
| ·a-Si:H 的吸收边 | 第68页 |
| ·a-Si:H 的光学带隙 | 第68-70页 |
| ·a-Si:H 薄膜的光学带隙测试 | 第70-73页 |
| ·a-Si:H 光学带隙测试实验 | 第70-71页 |
| ·a-Si:H 光学带隙与衬底温度 | 第71页 |
| ·a-Si:H 光学带隙与氢含量 | 第71-73页 |
| ·本章小结 | 第73-74页 |
| 结 论 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-79页 |
| 硕士生期间发表论文情况 | 第79-80页 |
| 致 谢 | 第80页 |