| 第-章 文献综述 | 第1-22页 |
| ·前言 | 第7-8页 |
| ·现代微电子工业对半导体硅材料的新要求 | 第8-9页 |
| ·大直径直拉硅单晶中的微缺陷 | 第9-13页 |
| ·硅单晶中的微缺陷 | 第9页 |
| ·空洞型原生微缺陷 | 第9-13页 |
| ·空洞型微缺陷的形成机理 | 第13-15页 |
| ·空洞型原生微缺陷形貌 | 第13页 |
| ·空洞型缺陷的形成 | 第13-14页 |
| ·空洞型原生微缺陷动力学模型 | 第14-15页 |
| ·影响空洞型缺陷的因素 | 第15-18页 |
| ·晶体生长参数对原生空洞型微缺陷的影响 | 第15-16页 |
| ·热历史对原生空洞型微缺陷的影响 | 第16页 |
| ·氧对原生空洞型微缺陷的影响 | 第16-17页 |
| ·碳对空洞型微缺陷的影响 | 第17页 |
| ·硅单晶中掺杂剂B、As、Sb、N等对原生空洞型微缺陷的的影响 | 第17-18页 |
| ·消除空洞型原生微缺陷的主要工艺 | 第18-20页 |
| ·完美单晶 | 第18-19页 |
| ·利用退火工艺消除COPs | 第19页 |
| ·外延片技术 | 第19-20页 |
| ·FLASH!技术 | 第20页 |
| ·本论文主要研究内容 | 第20-22页 |
| 第二章 实验 | 第22-27页 |
| ·实验样品 | 第22页 |
| ·实验方案 | 第22-27页 |
| ·FPDs微观结构的研究 | 第22-24页 |
| ·快速热退火对FPDs密度的影响 | 第24-25页 |
| ·高温氢气快速退火实验方案 | 第25-26页 |
| ·FTIR测试 | 第26-27页 |
| 第三章 原生CZ-Si单晶中FPDs微结构及其在Secco腐蚀液中的演变 | 第27-38页 |
| ·实验结果 | 第27-33页 |
| ·轻掺p型＜100＞CZ硅单晶中FPDs的微观形貌 | 第27-31页 |
| ·轻掺p型＜100＞CZ硅片中FPDs在Secco腐蚀液中的演变 | 第31-33页 |
| ·分析与讨论 | 第33-37页 |
| ·CZ-Si单晶片中FPDs的微观结构分析 | 第33页 |
| ·FPDs在Secco腐蚀液腐蚀过程中的演变 | 第33-34页 |
| ·抛物线模型 | 第34-37页 |
| ·小结 | 第37-38页 |
| 第四章 RTA处理对轻掺杂P型CZ-Si单晶中FPDs微观结构及其密度的影响 | 第38-55页 |
| ·实验结果 | 第38-46页 |
| ·分析与讨论 | 第46-53页 |
| ·N_2，N_2／O_2(3％)，Ar气氛下RTA对FPDs形貌及密度的影响 | 第46页 |
| ·氢气气氛下高温RTA对FPDs密度的影响 | 第46页 |
| ·高温氢气气氛下RTA工艺对CZ-Si中间隙氧含量的影响 | 第46-47页 |
| ·高温RTA工艺对FPDs的影响机制 | 第47-53页 |
| ·小结 | 第53-55页 |
| 第五章 高温RTA处理对重掺SbCZ-Si单晶中FPDs密度的影响 | 第55-61页 |
| ·实验结果 | 第55-59页 |
| ·分析与讨论 | 第59-60页 |
| ·RTA处理对重掺Sb硅单晶中FPDs的影响 | 第59页 |
| ·重掺Sb硅单晶中sb对FPDs消除过程的影响 | 第59-60页 |
| ·小结 | 第60-61页 |
| 第六章 结论 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第68页 |
