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掺(?)钇铁石榴石磁光薄膜的性能及应用研究

中文摘要第1-7页
英文摘要第7-10页
目录第10-14页
第一章 绪论第14-40页
 1.1 引言第14页
 1.2 磁光材料与磁光器件第14-16页
 1.3 光隔离器在光通信系统中的应用第16-21页
  1.3.1 光通信系统的特点第17-19页
  1.3.2 光隔离器在光通信系统中的作用第19-21页
 1.4 光隔离器的器件结构第21-24页
  1.4.1 块状型光隔离器第21-23页
  1.4.2 光隔离器的性能指标第23-24页
 1.5 光隔离器的发展概述第24-26页
  1.5.1 光隔离器的研究历史及现状第24-25页
  1.5.2 集成光学型光隔离器的特点及发展趋势第25-26页
 1.6 磁光效应及YIG薄膜的性能第26-28页
  1.6.1 磁光效应第26-27页
  1.6.2 YIG薄膜的性能第27-28页
 1.7 YIG薄膜材料的研究进展第28-37页
  1.7.1 Bi:YIG薄膜的研究进展第30-31页
  1.7.2 Ce:YIG薄膜的研究进展第31-32页
  1.7.3 YIG薄膜制备技术的进展第32-37页
 1.8 论文的选题及主要研究内容第37-40页
  1.8.1 论文的选题第37-39页
  1.8.2 论文内容第39-40页
第二章 Ce:YIG法拉第效应的理论基础第40-51页
 2.1 前言第40页
 2.2 法拉第效应的唯象理论第40-43页
 2.3 法拉第效应的量子理论第43-50页
  2.3.1 电偶极跃迁过程第43-47页
  2.3.2 Ce:YIG中Ce3+对磁光效应的影响第47-48页
  2.3.2 Ce:YIG磁光效应的温度依赖性第48-50页
 2.4 本章小结第50-51页
第三章 Ce:YIG磁光薄膜的光吸收研究第51-60页
 3.1 YIG光吸收谱的理论分析第51-55页
 3.2 Ce:YIG中铈离子对光吸收的贡献第55-56页
 3.3 Ce:YIG光吸收谱的高斯曲线拟合第56-58页
 3.4 Ce:YIG光吸收峰归属的确定第58-59页
 3.5 本章小结第59-60页
第四章 共沉淀法制备Ce1YIG粉体的研究第60-88页
 4.1 共沉淀法概述第61-62页
  4.1.1 共沉淀法的特点第61页
  4.1.2 共沉淀法的分类第61-62页
 4.2 晶体沉淀的基本原理第62-65页
  4.2.1 晶体的成核过程第62-63页
  4.2.2 晶体的生长第63-64页
  4.2.3 团聚的产生机理及消除第64-65页
 4.3 共沉淀法制备Ce1YIG粉体工艺研究第65-73页
  4.3.1 沉淀反应的化学机理第65-66页
  4.3.2 制备Ce1YIG粉体的几个关键问题第66-69页
  4.3.3 反应体系pH值的确定第69-70页
  4.3.4 反应温度的确定第70页
  4.3.5 Ce1YIG粉体中团聚的几种消除措施第70-72页
  4.3.6 Ce1YIG粉体制备工艺小结第72-73页
 4.4 Ce1YIG粉体组分的测定第73-74页
 4.5 Ce1YIG粉体的差热(DTA)及热重(TG)分析第74-76页
 4.6 Ce1YIG粉体烧结过程的XRD分析第76-78页
  4.6.1 XRD法的分析原理第76-77页
  4.6.2 Ce1YIG的结构结构第77-78页
 4.7 Ce1YIG粉体的红外光谱分析第78-85页
  4.7.1 红外光谱原理第80-81页
  4.7.2 沉淀产物的红外光谱第81-82页
  4.7.3 用红外光谱分析Ce1YIG粉体的结构第82-85页
 4.8 Ce1YIG粉体的饱和磁化强度第85-86页
 4.9 本章小结第86-88页
第五章 Ce:YIG磁光薄膜的设计、制备及晶化研究第88-110页
 5.1 Ce:YIG磁光薄膜的设计第89-91页
  5.1.1 Ce:YIG磁光薄膜的结构分析第89-90页
  5.1.2 Ce:YIG磁光薄膜的设计第90-91页
 5.2 Ce1YIG磁光薄膜的制备第91-97页
  5.2.1 薄膜的成核及生长理论第91-94页
  5.2.2 射频溅射法的基本原理第94页
  5.2.3 射频磁控溅射的工艺过程第94-97页
 5.3 制备条件对Ce1YIG薄膜结构的影响第97-99页
  5.3.1 基片温度对薄膜结构的影响第97页
  5.3.2 溅射功率密度对薄膜结构的影响第97-98页
  5.3.3 溅射气氛对薄膜结构的影响第98-99页
  5.3.4 基片靶间距对薄膜结构的影响第99页
 5.4 薄膜的晶化理论第99-100页
 5.5 Ce1YIG薄膜的晶化研究第100-106页
  5.5.1 原子力显微镜的工作原理第100-101页
  5.5.2 晶化温度对Ce1YIG薄膜微观结构的影响第101-103页
  5.5.3 晶化时间对Ce1YIG薄膜微观结构的影响第103-104页
  5.5.4 晶化气氛对Ce1YIG薄膜微观结构的影响第104-106页
 5.6 Ce1YIG薄膜的快速晶化研究第106-109页
  5.6.1 薄膜的微观结构分析第106-107页
  5.6.2 薄膜的晶化动力学研究第107-109页
 5.7 本章小结第109-110页
第六章 Ce1YIG薄膜的磁光性能及光性能研究第110-136页
 6.1 磁光测试系统简介第110-111页
 6.2 能带理论模型第111-113页
 6.3 薄膜结构对磁光性能的影响第113-116页
  6.3.1 氧空位的产生及作用第113-115页
  6.3.2 基片结构对薄膜性能的影响第115-116页
 6.4 薄膜的XPS分析第116-120页
  6.4.1 XPS分析的原理第116-117页
  6.4.2 Ce1YIG薄膜中Ce元素的价态分析第117-120页
 6.5 晶化处理对Ce1YIG薄膜磁光性能的影响第120-125页
  6.5.1 晶化温度对磁光性能的影响第120-121页
  6.5.2 晶化时间对磁光性能的影响第121-123页
  6.5.3 晶化气氛对磁光性能的影响第123-124页
  6.5.4 薄膜磁光性能与膜厚均匀性的关系第124-125页
 6.6 晶化处理对Ce1YIG薄膜光吸收的影响第125-128页
  6.6.1 影响光吸收的因素分析第125页
  6.6.2 薄膜光吸收的测量原理第125-126页
  6.6.3 晶化温度对光吸收的影响第126-127页
  6.6.4 晶化时间对光吸收的影响第127-128页
  6.6.5 晶化气氛对光吸收的影响第128页
 6.7 Ce1YIG薄膜的磁光优值第128-129页
 6.8 Ce1YIG薄膜的磁性能研究第129-134页
  6.8.1 Ce1YIG薄膜的动态磁化曲线第129-132页
  6.8.2 Ce1YIG薄膜的居里温度的测量第132-134页
 6.9 本章小结第134-136页
第七章 Ce1YIG薄膜在光隔离器中的应用研究第136-147页
 7.1 前言第136-137页
 7.2 集成光学型光隔离器的构型第137-139页
  7.2.1 纵向构型第137-138页
  7.2.2 横向构型第138-139页
 7.3 基于NPS的光隔离器的结构设计原理第139-140页
 7.4 基于NPS的Ce1YIG薄膜光隔离器的制备第140-142页
 7.5 光隔离器的分析方法概述第142-144页
  7.5.1 介质光波导中的电磁场方程第142-143页
  7.5.2 各种算法概述第143-144页
 7.6 基于NPS光隔离器的器件优化第144-145页
 7.7 本章小结第145-147页
第八章 结论与展望第147-150页
 8.1 全文工作结论第147-149页
 8.2 后期工作展望第149-150页
参考文献第150-162页
致谢第162-163页
攻读博士学位期间发表的论文第163-164页

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