| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-9页 |
| 第一章 文献综述 | 第9-26页 |
| 1．1 引言 | 第9-10页 |
| 1．2 太阳电池的原理与发展现状 | 第10-14页 |
| 1．3 硅太阳电池的减反射膜 | 第14-17页 |
| 1．4 氮化硅薄膜的性质与制备方法 | 第17-21页 |
| 1．5 太阳电池氢钝化的机理和方法 | 第21-23页 |
| 1．6 太阳电池氢钝化存在的问题 | 第23-24页 |
| 1．7 本论文的研究目的与意义 | 第24-26页 |
| 第二章 实验设备、方法与过程 | 第26-40页 |
| 2．1 PECVD设备 | 第26-28页 |
| 2．2 RTP设备 | 第28页 |
| 2．3 实验材料 | 第28-29页 |
| 2．4 测试设备 | 第29-35页 |
| 2．4．1 金相显微镜 | 第29页 |
| 2．4．2 原子力显微镜（AFM） | 第29-30页 |
| 2．4．3 扫描电子显微镜（SEM） | 第30页 |
| 2．4．4 薄膜测试系统 | 第30页 |
| 2．4．5 X射线衍射（XRD） | 第30页 |
| 2．4．6 X射线光电子能谱（XPS） | 第30-31页 |
| 2．4．7 X射线能谱分析仪（EDS） | 第31-32页 |
| 2．4．8 微波光电导衰减（μ-PCD） | 第32-33页 |
| 2．4．9 傅立叶变换红外光谱（FTIR） | 第33-34页 |
| 2．4．10 太阳电池效率测试仪 | 第34-35页 |
| 2．4．11 霍尔参数测试仪（Hall） | 第35页 |
| 2．5 实验过程 | 第35-40页 |
| 2．5．1 正交实验 | 第35-38页 |
| 2．5．2 氢等离子体的钝化实验 | 第38页 |
| 2．5．3 薄膜样品的退火处理 | 第38-40页 |
| 第三章 PECVD沉积SiNx:H薄膜性质研究 | 第40-57页 |
| 3．1 表面与截面形貌 | 第40-41页 |
| 3．2 光学性质 | 第41-43页 |
| 3．3 化学结构 | 第43-47页 |
| 3．4 稳定性 | 第47-49页 |
| 3．5 不同沉积参数对薄膜性质的影响 | 第49-55页 |
| 3．6 本章小结 | 第55-57页 |
| 第四章 钝化效果研究 | 第57-71页 |
| 4．1 氢等离子体对多晶硅材料的钝化效果 | 第57-59页 |
| 4．1．1 氢等离子体钝化与处理温度的关系 | 第58页 |
| 4．1．2 氢等离子体钝化与处理时间的关系 | 第58-59页 |
| 4．2 富氢氮化硅薄膜对硅材料的钝化效果 | 第59-64页 |
| 4．2．1 氮化硅薄膜对单晶硅的钝化 | 第59-61页 |
| 4．2．2 氮化硅薄膜对多晶硅的钝化 | 第61-64页 |
| 4．3 氢等离子体对硅电池的钝化效果 | 第64-67页 |
| 4．3．1 氢等离子体对单晶硅电池的钝化效果 | 第64-66页 |
| 4．3．2 氢等离子体对多晶硅电池的钝化效果 | 第66-67页 |
| 4．4 富氢氮化硅薄膜对硅电池的钝化效果 | 第67-68页 |
| 4．4．1 富氢氮化硅薄膜对单晶硅电池的钝化效果 | 第67-68页 |
| 4．4．2 富氢氮化硅薄膜对多晶硅电池的钝化效果 | 第68页 |
| 4．5 PECVD沉积氮化硅薄膜与氢等离子体处理的工艺整合研究 | 第68-69页 |
| 4．6 本章小结 | 第69-71页 |
| 第五章 热处理对氮化硅减反射膜的影响 | 第71-78页 |
| 5．1 热处理对薄膜厚度和折射率的影响 | 第71-74页 |
| 5．2 热处理对少子寿命的影响 | 第74-75页 |
| 5．3 热处理对电池性能的影响 | 第75-77页 |
| 5．4 本章小结 | 第77-78页 |
| 第六章 结论 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-87页 |
| 读研期间发表的论文 | 第87-88页 |
| 致谢 | 第88页 |