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PECVD法制备含氟碳膜工艺及机理研究

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-6页
第一章 文献综述第6-22页
   ·引言第6-7页
   ·薄膜材料的特点和应用第7-8页
     ·薄膜材料的特点第7-8页
     ·薄膜材料的应用第8页
   ·薄膜制备方法简介第8-11页
     ·物理气相沉积(PVD)第9-10页
     ·化学气相沉积(CVD)第10-11页
   ·几种薄膜制备新技术介绍第11-15页
   ·VLSI用低介电常数薄膜的研究现状第15-20页
   ·前景展望第20-22页
第二章 实验方法第22-29页
   ·制备装置第22-25页
   ·制备方案第25页
   ·制备过程第25-27页
   ·测试仪器及分析方法第27-29页
第三章 实验分析与结果讨论第29-53页
   ·沉积速率与沉积工艺的关系第29-33页
     ·沉积速率与温度的关系第29-30页
     ·沉积速率与射频功率的关系第30-31页
     ·沉积速率与沉积压强的关系第31-32页
     ·流量比对沉积速率的影响第32-33页
   ·薄膜介电常数与沉积工艺的关系第33-36页
     ·介电常数与射频功率的关系第33-34页
     ·介电常数与沉积温度的关系第34-35页
     ·流量比对介电常数的影响第35页
     ·沉积压强对介电常数的影响第35-36页
   ·薄膜的光学性质第36-44页
     ·折射率和沉积温度的关系第37页
     ·折射率和流量比的关系第37页
     ·薄膜的紫外可见光透射光谱第37-38页
     ·薄膜的吸收系数和光学带隙讨论第38-44页
   ·薄膜红外分析第44-46页
   ·薄膜的表面形貌分析第46-48页
   ·薄膜的结合力和热稳定性分析第48-50页
   ·薄膜的填隙特性第50-51页
   ·薄膜的热导性能第51-53页
第四章 实验结论第53-54页
参考文献第54-60页
致谢第60页

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