| 中文摘要 | 第1-3页 |
| 英文摘要 | 第3-4页 |
| 目 录 | 第4-6页 |
| 第1章 绪论 | 第6-9页 |
| 1．1 引言 | 第6-7页 |
| 1．2 主要工作 | 第7-9页 |
| 第2章 理论分析 | 第9-24页 |
| 2．1 量子阱激光器基础 | 第9-13页 |
| 2．1．1 量子阱中电子的能量状态 | 第9-11页 |
| 2．1．2 台阶状态密度分布 | 第11-13页 |
| 2．1．3 量子阱激光器 | 第13页 |
| 2．2 应变量子阱激光器 | 第13-24页 |
| 2．2．1 晶格失配与应变 | 第13-15页 |
| 2．2．2 临界厚度 | 第15-16页 |
| 2．2．3 应变对能带结构的影响 | 第16-17页 |
| 2．2．4 输出光波长 | 第17-19页 |
| 2．2．5 光谱线宽 | 第19-20页 |
| 2．2．6 调制带宽 | 第20-24页 |
| 第3章 激光器的设计 | 第24-29页 |
| 3．1 总体考虑 | 第24-25页 |
| 3．2 激光器芯片结构设计 | 第25-28页 |
| 3．2．1 材料参数的设计 | 第25-27页 |
| 3．2．2 结构参数设计 | 第27-28页 |
| 3．3 微波封装设计 | 第28-29页 |
| 第4章 器件工艺设计与制作 | 第29-34页 |
| 4．1 工艺设计 | 第29-30页 |
| 4．1．1 器件制作的工艺流程 | 第29页 |
| 4．1．2 工艺的一般要求 | 第29-30页 |
| 4．2 重点工艺设计 | 第30-32页 |
| 4．2．1 MOCVD | 第30页 |
| 4．2．2 脊形制作 | 第30-31页 |
| 4．2．3 欧姆接触 | 第31-32页 |
| 4．2．4 化学动力学减薄 | 第32页 |
| 4．2．5 烧结、压焊 | 第32页 |
| 4．2．6 组件组装 | 第32页 |
| 4．3 器件制作 | 第32-34页 |
| 第5章 可靠性分析 | 第34-37页 |
| 5．1 退化机理分析 | 第34-36页 |
| 5．1．1 InGaAs/GaAs应变量子阱激光器的退化 | 第34-35页 |
| 5．1．2 工艺质量对可靠性的影响 | 第35-36页 |
| 5．2 可靠性保证 | 第36-37页 |
| 第6章 主要特性及分析 | 第37-43页 |
| 6．1 外延片的质量检测 | 第37-40页 |
| 6．2 管芯性能及分析 | 第40-41页 |
| 6．3 器件性能及分析 | 第41-43页 |
| 第7章 结论 | 第43-44页 |
| 致谢 | 第44页 |
| 参考文献 | 第44-45页 |