| 内容提要 | 第1-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-18页 |
| ·超硬半导体材料 | 第9-14页 |
| ·金刚石 | 第9-10页 |
| ·立方氮化硼(c-BN) | 第10-11页 |
| ·B-C-N三元化合物的理论研究 | 第11-14页 |
| ·半导体材料中的杂质和缺陷 | 第14-16页 |
| ·本研究的目的 | 第16-18页 |
| 第二章 基于密度泛函的第一性原理计算方法 | 第18-45页 |
| ·绝热近似 | 第18-22页 |
| ·密度泛函理论 | 第22-27页 |
| ·交换关联近似(LDA和GGA)[18] | 第27-31页 |
| ·布洛赫(BLOCH)定理 | 第31-32页 |
| ·能量的自洽计算 | 第32-33页 |
| ·三维晶格振动的声子解[18] | 第33-42页 |
| ·动力学方程 | 第33-35页 |
| ·线性响应理论[18] | 第35-42页 |
| ·缺陷形成能的计算 | 第42-45页 |
| ·元素的化学势 | 第42-43页 |
| ·形成能的概念 | 第43-45页 |
| 第三章 立方BC2N杂质性质的研究 | 第45-63页 |
| ·立方BC_2N的电子结构 | 第47-48页 |
| ·立方BC_2N杂质的形成能 | 第48-51页 |
| ·取代杂质(O_B、O_N、Ocl和Oc2)的态密度 | 第51-52页 |
| ·不同压力下O-N缺陷的形成体积 | 第52-53页 |
| ·氧取代氮杂质的能带结构与态密度 | 第53-54页 |
| ·氧取代氮杂质的能带结构与态密度(O+1,-1) | 第54-56页 |
| ·氧取代氮杂质的光学性质 | 第56-61页 |
| ·BC_2N间隙杂质(钴Co)的电子结构 | 第61-62页 |
| ·本章结论 | 第62-63页 |
| 第四章 氮化铍性质的研究 | 第63-72页 |
| ·理论模型 | 第63-64页 |
| ·能带结构 | 第64-65页 |
| ·态密度 | 第65-66页 |
| ·体弹模量随压强的变化 | 第66-67页 |
| ·光学性质 | 第67-69页 |
| ·声子谱 | 第69-70页 |
| ·本章结论 | 第70-72页 |
| 结论 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 学术成果 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
| 中文摘要 | 第80-83页 |
| Abstract | 第83-85页 |