| 中文摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第一章 引论 | 第9-14页 |
| ·四元混晶的特点 | 第9页 |
| ·本领域研究发展近况 | 第9-12页 |
| ·本论文的研究内容 | 第12-14页 |
| 第二章 模型和公式 | 第14-18页 |
| ·模型 | 第14页 |
| ·公式 | 第14-18页 |
| 第三章 四元混晶InGaAsP 应变量子阱能带的组分调制 | 第18-27页 |
| ·结果与讨论 | 第18-21页 |
| ·本章结论 | 第21-27页 |
| 第四章 四元混晶InGaAsP 应变量子阱能带的压力调制 | 第27-39页 |
| ·压力对物理参数的影响及应变效应 | 第27-30页 |
| ·结果与讨论 | 第30-33页 |
| ·本章结论 | 第33-39页 |
| 第五章 小结 | 第39-41页 |
| 参考文献 | 第41-45页 |
| 攻读硕士学位期间发表和完成的学术论文 | 第45-46页 |
| 致谢 | 第46页 |