| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章绪论 | 第9-14页 |
| ·微电子技术发展的限制 | 第9-10页 |
| ·纳米电子器件的两种途径 | 第10页 |
| ·纳米材料自组装 | 第10-11页 |
| ·纳米材料的形貌分析方法 | 第11-12页 |
| ·本课题的研究背景及意义 | 第12-14页 |
| 第二章 实验方法 | 第14-26页 |
| ·扫描隧道显微镜(STM)的工作原理以及工作模式 | 第14-15页 |
| ·超高真空扫描隧道显微镜（UHV-STM）的系统组成 | 第15-20页 |
| ·超高真空系统 | 第16-18页 |
| ·STM 扫描反馈及分析系统 | 第18-20页 |
| ·分子束外延(MBE)系统 | 第20-22页 |
| ·扫描探针的制作要求及其制备方法 | 第22-24页 |
| ·扫描探针的制作要求 | 第22页 |
| ·钨针尖的制备方法 | 第22-24页 |
| ·扫描隧道显微镜工作参数设置 | 第24-26页 |
| 第三章 重构表面及其制备 | 第26-35页 |
| ·Si 的晶体结构 | 第26-27页 |
| ·重构表面及其标记 | 第27-28页 |
| ·Si(100)重构表面的结构及制备 | 第28-31页 |
| ·Si(100)重构表面的结构 | 第28-30页 |
| ·Si(100)-2×1 重构表面的制备 | 第30-31页 |
| ·Si(111)-7×7 重构表面的结构与制备 | 第31-35页 |
| 第四章 锰及其硅化物在Si(100)表面的反应外延生长 | 第35-44页 |
| ·引言 | 第35-37页 |
| ·实验 | 第37页 |
| ·实验结果及讨论 | 第37-43页 |
| ·总结 | 第43-44页 |
| 第五章 锰的硅化物薄膜在Si(111)-7×7 表面固相外延生长的扫描隧道显微镜研究 | 第44-53页 |
| ·引言及理论背景 | 第44-45页 |
| ·实验 | 第45-46页 |
| ·结果与讨论 | 第46-52页 |
| ·结论 | 第52-53页 |
| 第六章 全文总结 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
