摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-10页 |
第1章 引言 | 第10-30页 |
·课题研究背景 | 第10-27页 |
·硫化物半导体概述 | 第10-11页 |
·半导体纳米材料的特性 | 第11-15页 |
·硫化物纳米材料的液相合成方法 | 第15-21页 |
·硫化物纳米材料的液相合成调控因素 | 第21-23页 |
·纳米晶的组装 | 第23-26页 |
·硫化物半导体纳米晶在太阳能电池方面的应用 | 第26-27页 |
·本论文的选题思路与主要研究内容 | 第27-30页 |
·机遇与挑战 | 第27-28页 |
·论文的选题思路与主要研究内容 | 第28-30页 |
第2章 两相法合成Ag_2S、Cu_2S 纳米晶及其自组装现象研究 | 第30-57页 |
·本章引论 | 第30-31页 |
·两相法合成硫化物纳米晶 | 第31-40页 |
·合成线路的设计 | 第31-32页 |
·Ag_2S 纳米晶的合成方法 | 第32页 |
·Ag_2S 纳米晶的表征结果 | 第32-35页 |
·Cu_2S 纳米晶的合成方法 | 第35-36页 |
·Cu_2S 纳米晶的表征结果 | 第36-39页 |
·Cu_2S 纳米晶形貌的控制 | 第39-40页 |
·纳米晶的自组装现象 | 第40-55页 |
·Ag_2S 纳米晶自组装形成四面体型组装体 | 第40-46页 |
·Ag_2S 纳米晶组装体的生长与溶解 | 第46-49页 |
·Cu_2S 纳米晶的多层组装 | 第49-52页 |
·Cu_2S 纳米晶组装的驱动力分析 | 第52-55页 |
·本章小结 | 第55-57页 |
第3章 硫化物纳米晶的通用合成方法 | 第57-77页 |
·本章引论 | 第57-58页 |
·反应线路的设计 | 第58-59页 |
·实验方法 | 第59-60页 |
·实验结果表征 | 第60-62页 |
·反应机理的分析 | 第62-65页 |
·反应条件的选择 | 第65-66页 |
·纳米晶尺寸与形貌的调控 | 第66-71页 |
·纳米晶的光谱性质 | 第71-73页 |
·纳米晶的组装 | 第73-75页 |
·本章小结 | 第75-77页 |
第4章 水溶性CdS、ZnS 纳米晶的可控合成与光谱研究 | 第77-100页 |
·本章引论 | 第77-78页 |
·使用PEI 辅助合成水溶性超细CdS 纳米棒 | 第78-89页 |
·反应线路设计 | 第79页 |
·实验方法 | 第79-80页 |
·结果表征与讨论 | 第80-83页 |
·产物形貌的调控因素 | 第83-85页 |
·CdS 纳米棒的吸收与荧光光谱性质 | 第85-86页 |
·CdS 纳米棒溶解性的调控 | 第86-89页 |
·使用PVP 辅助合成水溶性CdS 和ZnS 胶体球 | 第89-98页 |
·反应线路设计 | 第89页 |
·实验方法 | 第89-90页 |
·结果表征与讨论 | 第90-93页 |
·胶体球的形成机制 | 第93-96页 |
·CdS 与ZnS 的光谱性质 | 第96-97页 |
·合成Cd_xZn_(1-x)S 合金化合物以调控其光学性质 | 第97-98页 |
·本章小结 | 第98-100页 |
第5章 CdS 等半导体纳米晶的性能研究 | 第100-116页 |
·本章引论 | 第100页 |
·CdS 量子点应用于量子点敏化的太阳能电池 | 第100-106页 |
·反应线路设计 | 第102页 |
·实验方法 | 第102-103页 |
·结果与讨论 | 第103-106页 |
·In_2O_3 纳米晶在气体传感器方面的应用 | 第106-115页 |
·反应线路设计 | 第107页 |
·实验方法 | 第107-109页 |
·纳米晶表征结果与讨论 | 第109-113页 |
·气体传感器性质 | 第113-115页 |
·本章小结 | 第115-116页 |
结论 | 第116-118页 |
参考文献 | 第118-134页 |
致谢 | 第134-135页 |
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第135-136页 |