| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-15页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·研究现状及意义 | 第9-14页 |
| ·窄带低噪声放大器的研究现状 | 第10-12页 |
| ·超宽带低噪声放大器的研究现状 | 第12-14页 |
| ·研究意义 | 第14页 |
| ·本论文的组织结构 | 第14-15页 |
| 第二章 RF CMOS 工艺中的器件特性 | 第15-23页 |
| ·CMOS 工艺的背景 | 第15-16页 |
| ·CMOS 工艺中的电容 | 第16页 |
| ·CMOS 工艺中的电感 | 第16-17页 |
| ·MOSFET 高频小信号等效 | 第17-18页 |
| ·深亚微米MOSFET 射频特性 | 第18-23页 |
| 第三章 低噪声放大器设计基础 | 第23-36页 |
| ·射频电路基础知识 | 第23-26页 |
| ·分布参数的概念 | 第23页 |
| ·阻抗的概念 | 第23-26页 |
| ·阻抗匹配的概念 | 第26页 |
| ·低噪声放大器的结构及性能 | 第26-36页 |
| ·低噪声放大器基本结构 | 第26-27页 |
| ·散射参数 | 第27-28页 |
| ·放大器的增益和稳定性 | 第28-29页 |
| ·噪声处理 | 第29-31页 |
| ·系统灵敏度 | 第31-32页 |
| ·大信号表现 | 第32-36页 |
| 第四章 超宽带低噪声放大器设计与仿真 | 第36-59页 |
| ·超宽带技术 | 第36-37页 |
| ·技术标准 | 第36页 |
| ·超宽带收发器 | 第36-37页 |
| ·制造工艺选择及设计的基本要求 | 第37-39页 |
| ·工艺选择 | 第37-38页 |
| ·设计的基本要求 | 第38-39页 |
| ·共源共栅联源极负反馈结构为基础的超宽带低噪声放大器的设计 | 第39-51页 |
| ·电路分析 | 第39-42页 |
| ·仿真过程和结果 | 第42-51页 |
| ·两级级联的超宽带低噪声放大器的设计 | 第51-57页 |
| ·电路分析 | 第51-54页 |
| ·仿真结果 | 第54-57页 |
| ·设计结论 | 第57-59页 |
| 第五章 总结和展望 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 攻读学位期间公开发表论文 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |