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基于自支撑金刚石薄膜的晶体管和紫外探测器制备与性能研究

摘要第1-8页
ABSTRACT第8-12页
第一章 前言第12-36页
   ·CVD 金刚石薄膜概述第12-19页
     ·金刚石薄膜的结构第13-14页
     ·金刚石薄膜的优异特性第14-16页
     ·CVD 金刚石薄膜的制备技术第16-19页
   ·CVD 金刚石薄膜在光电子器件中的主要应用概述第19-29页
     ·CVD 金刚石薄膜热沉第19-23页
     ·CVD 金刚石薄膜声表面波(SAW)器件第23-26页
     ·CVD 金刚石薄膜紫外光探测器第26-27页
     ·CVD 金刚石薄膜晶体管第27-29页
   ·本课题意义及研究内容第29-30页
 参考文献第30-36页
第二章 自支撑金刚石薄膜的制备及性能研究第36-55页
   ·实验设备及原理介绍第36-38页
     ·热丝化学气相沉积(HFCVD)法的原理及设备介绍第36-37页
     ·微波等离子体气相沉积(MPCVD)法的原理及设备介绍第37-38页
   ·自支撑金刚石薄膜的制备工艺研究第38-44页
     ·衬底研磨方式对成核的影响第38-41页
     ·自支撑金刚石薄膜的制备第41-44页
   ·自支撑金刚石薄膜的性能第44-53页
     ·自支撑金刚石薄膜的表征方法第44-45页
     ·薄膜表面形貌及横截面的SEM 表征第45-47页
     ·XRD 图谱表征第47-49页
     ·Raman 光谱表征第49-51页
     ·电学性能表征第51-53页
   ·本章小结第53页
 参考文献第53-55页
第三章 金刚石薄膜表面导电性能研究及机理分析第55-71页
   ·引言第55-56页
   ·实验过程第56-57页
     ·自支撑金刚石薄膜的制备及表面处理第56页
     ·测试仪器设备第56-57页
   ·自支撑金刚石薄膜的表面导电性能研究第57-67页
     ·氢处理工艺对金刚石薄膜表面电性能的影响第57-59页
     ·退火对金刚石薄膜表面电性能的影响第59-62页
     ·氧等离子体处理对金刚石薄膜表面电性能的影响第62-63页
     ·金刚石薄膜表面氢元素分析第63-67页
   ·本章小结第67-68页
 参考文献第68-71页
第四章 自支撑金刚石薄膜肖特基场效应晶体管的初步研究第71-81页
   ·引言第71-72页
   ·金刚石与金属电极的接触特性第72-76页
     ·金属和半导体的功函数第72-73页
     ·接触势垒第73-74页
     ·欧姆接触和肖特基接触第74-75页
     ·电极材料的选择第75-76页
   ·MESFET 器件制备及性能研究第76-79页
     ·氢终端p 型自支撑金刚石薄膜的制备第76页
     ·MESFET 器件的制备工艺第76-78页
     ·器件性能测试第78-79页
   ·本章小结第79页
 参考文献第79-81页
第五章 ZnO/金刚石结构的制备及应用研究第81-105页
   ·引言第81-82页
   ·ZnO 材料概述第82-86页
     ·ZnO 材料的结构第82-83页
     ·ZnO 材料的特性及应用第83-84页
     ·磁控溅射法制备ZnO 原理简介第84-86页
   ·ZnO 制备及测试第86-88页
     ·ZnO 陶瓷靶的制作第86页
     ·ZnO 薄膜的制备过程第86-87页
     ·测试设备第87页
     ·ZnO 薄膜的结构特性分析第87-88页
   ·实验结果与讨论第88-96页
     ·溅射功率对ZnO 薄膜结构特性的影响第88-91页
     ·溅射气压对ZnO 薄膜结构特性的影响第91-93页
     ·同质缓冲层对ZnO 薄膜的影响第93-96页
   ·ZnO/金刚石结构紫外光探测器的性能研究第96-100页
     ·ZnO/金刚石薄膜结构紫外光探测器的制备第96-97页
     ·探测器光电性能测试与分析第97-100页
   ·本章小节第100-101页
 参考文献第101-105页
第六章 结论与展望第105-108页
作者在攻读博士学位期间公开发表的论文第108-111页
作者在攻读博士学位期间申请的专利第111-112页
攻读博士学位期间所承担的科研项目第112-113页
个人简历第113-114页
致谢第114页

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