| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-24页 |
| 1.1 稀磁半导体概述 | 第9-10页 |
| 1.1.1 稀磁半导体的简介 | 第9-10页 |
| 1.1.2 稀磁半导体的应用 | 第10页 |
| 1.2 In_2O_3的基本性质 | 第10-11页 |
| 1.3 In_2O_3纳米线概述 | 第11-19页 |
| 1.3.1 半导体纳米材料的发展 | 第12-15页 |
| 1.3.2 In_2O_3纳米线的制备方法 | 第15-16页 |
| 1.3.3 In_2O_3纳米线的研究现状 | 第16-19页 |
| 1.4 In_2O_3基稀磁纳米线的研究现状 | 第19-22页 |
| 1.5 选题依据及研究内容 | 第22-24页 |
| 第二章 实验设备与表征技术 | 第24-30页 |
| 2.1 实验材料 | 第24页 |
| 2.2 实验设备 | 第24-25页 |
| 2.3 表征技术 | 第25-30页 |
| 2.3.1 扫描电子显微镜(SEM) | 第25-26页 |
| 2.3.2 X射线衍射(XRD) | 第26-27页 |
| 2.3.3 能量色散谱(EDS) | 第27-28页 |
| 2.3.4 X射线光电子能谱(XPS) | 第28-29页 |
| 2.3.5 透射电子显微镜(TEM) | 第29-30页 |
| 第三章 In_2O_3纳米线的制备与表征分析 | 第30-42页 |
| 3.1 引言 | 第30-31页 |
| 3.2 制备In_2O_3纳米线的实验过程 | 第31-32页 |
| 3.3 反应温度对In_2O_3纳米线形貌的影响 | 第32-33页 |
| 3.4 气体流量对In_2O_3纳米线形貌的影响 | 第33-34页 |
| 3.5 衬底位置对In_2O_3纳米线形貌的影响 | 第34-36页 |
| 3.6 反应时间对In_2O_3纳米线形貌的影响 | 第36-37页 |
| 3.7 In_2O_3纳米线的表征分析 | 第37-40页 |
| 3.7.1 XRD分析 | 第37-38页 |
| 3.7.2 EDS分析 | 第38-39页 |
| 3.7.3 XPS分析 | 第39-40页 |
| 3.7.4 TEM分析 | 第40页 |
| 3.8 本章小结 | 第40-42页 |
| 第四章 Cu、Cu-N掺杂In_2O_3纳米线的制备与表征分析 | 第42-56页 |
| 4.1 引言 | 第42页 |
| 4.2 制备Cu、Cu-N掺杂In_2O_3纳米线的实验过程 | 第42-43页 |
| 4.3 Cu、Cu-N掺杂In_2O_3纳米线的成分分析 | 第43-46页 |
| 4.3.1 EDS分析 | 第43-45页 |
| 4.3.2 XPS分析 | 第45-46页 |
| 4.4 Cu、Cu-N掺杂In_2O_3纳米线的形貌分析 | 第46-48页 |
| 4.4.1 SEM分析 | 第46-47页 |
| 4.4.2 TEM分析 | 第47-48页 |
| 4.5 Cu、Cu-N掺杂In_2O_3纳米线的结构分析 | 第48-51页 |
| 4.5.1 XRD分析 | 第48-49页 |
| 4.5.2 局域结构分析 | 第49-51页 |
| 4.6 Cu、Cu-N掺杂In_2O_3纳米线的磁性分析 | 第51-52页 |
| 4.7 Cu、Cu-N掺杂In_2O_3体系的理论分析 | 第52-54页 |
| 4.7.1 模型与计算方法 | 第52页 |
| 4.7.2 计算结果与分析 | 第52-54页 |
| 4.8 本章小结 | 第54-56页 |
| 第五章 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-62页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
