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界面电子转移作用下单量子点的荧光辐射特性研究

中文摘要第11-13页
ABSTRACT第13-15页
第一章 引言第16-26页
    1.1 单量子点研究的意义第16-17页
    1.2 量子点的光物理特性第17-22页
        1.2.1 单量子点的荧光闪烁第19-20页
        1.2.2 单量子点的荧光寿命第20-21页
        1.2.3 单量子点的偏振特性第21页
        1.2.4 单量子点的双激子辐射特性及俄歇复合过程第21-22页
    1.3 界面电子转移对单量子点荧光特性的影响第22-23页
    1.4 单量子点中界面电子转移的研究现状第23-24页
    1.5 本论文的主要研究内容第24-26页
第二章 单量子点的光学探测的实验方法第26-36页
    2.1 量子点的实验样品制备第26-29页
        2.1.1 玻片的清洗第26页
        2.1.2 实验所用单量子点样品及制备方法第26-29页
    2.2 单量子点光学探测的实验装置第29-31页
    2.3 单量子点荧光数据的采集与分析第31-35页
        2.3.1 单量子点的荧光轨迹第32-33页
        2.3.2 基于TTTR-TCSPC技术的单量子点荧光寿命测量第33-34页
        2.3.3 单量子点二阶关联函数的测量第34-35页
    2.4 本章小结第35-36页
第三章 半导体纳米颗粒ITO中单量子点荧光辐射特性第36-56页
    3.1 单量子点与ITO间的界面转移动力学第36-41页
        3.1.1 实验部分第38页
        3.1.2 实验结果与讨论第38-41页
        3.1.3 实验结论第41页
    3.2 半导体纳米材料ITO中单量子点的荧光闪烁特性第41-44页
        3.2.1 实验部分第41页
        3.2.2 实验结果与讨论第41-44页
        3.2.3 实验结论第44页
    3.3 半导体纳米材料ITO中单量子点的偶极取向第44-48页
        3.3.1 实验部分第45-46页
        3.3.2 实验结果与讨论第46-47页
        3.3.3 实验结论第47-48页
    3.4 半导体纳米材料ITO中的单量子点的双激子辐射特性第48-55页
        3.4.1 实验部分第48页
        3.4.2 实验结果与讨论第48-54页
        3.4.3 实验结论第54-55页
    3.5 本章小结第55-56页
第四章 单量子点在少层二维材料二硫化钼上的荧光辐射特性第56-64页
    4.1 单量子点的荧光闪烁行为第56-60页
        4.1.1 实验部分第56页
        4.1.2 实验结果与讨论第56-60页
        4.1.3 实验结论第60页
    4.2 单量子点与二硫化钼的界面电子转移动力学第60-62页
        4.2.1 实验部分第60页
        4.2.2 实验结果与讨论第60-62页
        4.2.3 实验结论第62页
    4.3 本章小结第62-64页
第五章 总结与展望第64-66页
参考文献第66-74页
攻读学位期间取得的研究成果第74页
硕士期间参与的科研项目第74页
硕士期间获奖情况第74-75页
致谢第75-76页
个人简况第76-79页

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