| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 1 绪论 | 第11-30页 |
| 1.1 III族氮化物半导体材料的基本性质 | 第13-16页 |
| 1.2 AlGaN基量子阱红外探测器界面垂直光耦合 | 第16-22页 |
| 1.3 AlGaN基DUV-LED界面光传输与光萃取 | 第22-28页 |
| 1.4 本论文主要研究内容和章节安排 | 第28-30页 |
| 2 AlGaN基红外/紫外光电器件界面光场调控的研究方法 | 第30-48页 |
| 2.1 界面光场的理论计算方法 | 第30-34页 |
| 2.2 界面微结构的制备方法 | 第34-38页 |
| 2.3 界面微结构的表征方法 | 第38-40页 |
| 2.4 AlGaN基深紫外材料及LED芯片性能表征 | 第40-47页 |
| 2.5 本章小结 | 第47-48页 |
| 3 SPP共振增强AlGaN基QWIP界面垂直光耦合研究 | 第48-71页 |
| 3.1 表面等离激元理论基础 | 第48-53页 |
| 3.2 数值仿真模型与表征参量 | 第53-55页 |
| 3.3 金属光栅材料的选择 | 第55-56页 |
| 3.4 二维正方阵列金光栅增强界面垂直光耦合 | 第56-64页 |
| 3.5 准一维方形阵列金光栅增强界面垂直光耦合 | 第64-69页 |
| 3.6 本章小结 | 第69-71页 |
| 4 LRSPP共振增强AlGaN基QWIP界面垂直光耦合研究 | 第71-80页 |
| 4.1 长程表面等离激元激发结构设计 | 第72-77页 |
| 4.2 长程表面等离激元共振增强界面垂直光耦合机制 | 第77-79页 |
| 4.3 本章小结 | 第79-80页 |
| 5 PD/EBL等效反射界面增强AlGaN基DUV-LED光萃取研究 | 第80-94页 |
| 5.1 PD结构DUV-LED的MOCVD外延生长 | 第81-85页 |
| 5.2 PD结构DUV-LED芯片制备 | 第85-87页 |
| 5.3 PD结构DUV-LED性能表征 | 第87-90页 |
| 5.4 PD结构DUV-LED光萃取效率提升机制 | 第90-93页 |
| 5.5 本章小结 | 第93-94页 |
| 6 Air/蓝宝石/AlN界面粗化增强AlGaN基DUV-LED光萃取研究 | 第94-115页 |
| 6.1 蓝宝石表面蛾眼粗化提高光萃取效率 | 第94-103页 |
| 6.2 蓝宝石侧面隐形切割粗化提高光萃取效率 | 第103-108页 |
| 6.3 纳米图形化衬底粗化AlN/蓝宝石界面的初步研究 | 第108-114页 |
| 6.4 本章小结 | 第114-115页 |
| 7 总结与展望 | 第115-118页 |
| 7.1 工作总结 | 第115-116页 |
| 7.2 展望 | 第116-118页 |
| 致谢 | 第118-120页 |
| 参考文献 | 第120-135页 |
| 附录1 攻读博士学位期间已发表或完成的论文 | 第135-139页 |
