摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
第一章 绪论 | 第15-43页 |
1.1 SiC陶瓷概述 | 第15页 |
1.2 SiC陶瓷及其复合材料的制备工艺 | 第15-22页 |
1.2.1 无压液相烧结 | 第15-18页 |
1.2.2 热压烧结 | 第18-21页 |
1.2.3 反应烧结 | 第21-22页 |
1.2.4 先驱体转化法 | 第22页 |
1.3 先驱体转化法在低维陶瓷材料中的应用 | 第22-26页 |
1.3.1 SiC纤维 | 第23-24页 |
1.3.2 SiC涂层 | 第24-25页 |
1.3.3 SiC薄膜 | 第25-26页 |
1.4 先驱体法制备SiC块体陶瓷 | 第26-33页 |
1.5 本论文的研究内容及意义 | 第33-35页 |
1.5.1 研究内容 | 第33页 |
1.5.2 研究意义 | 第33-35页 |
参考文献 | 第35-43页 |
第二章 实验部分 | 第43-51页 |
2.1 实验材料和实验设备 | 第43-44页 |
2.1.1 实验原材料和试剂 | 第43-44页 |
2.1.2 实验仪器和设备 | 第44页 |
2.2 实验步骤 | 第44-47页 |
2.2.1 SiC(rGO)的制备 | 第44-46页 |
2.2.2 SiC(rGO,Graphene)的制备 | 第46页 |
2.2.3 大功率LED器件的封装 | 第46-47页 |
2.2.4 多孔材料的制备 | 第47页 |
2.3 分析与测试方法 | 第47-51页 |
2.3.1 红外光谱分析 | 第47-48页 |
2.3.2 核磁共振波谱分析 | 第48页 |
2.3.3 X射线衍射分析 | 第48页 |
2.3.4 拉曼光谱分析 | 第48页 |
2.3.5 扫描电子显微镜分析 | 第48页 |
2.3.6 透射电子显微镜分析 | 第48-49页 |
2.3.7 电子探针分析 | 第49页 |
2.3.8 硬度和断裂韧性测试 | 第49页 |
2.3.9 电导率测试 | 第49页 |
2.3.10 热扩散系数测试 | 第49页 |
2.3.11 大功率LED器件的热性能测试 | 第49-51页 |
第三章 SiC(rGO)复合材料的制备及其结构与性能表征 | 第51-71页 |
3.1 引言 | 第51-52页 |
3.2 先驱体及复合材料的结构与性能表征 | 第52-64页 |
3.2.1 红外光谱分析(FTIR) | 第52-55页 |
3.2.2 核磁共振波谱分析(~1H NMR) | 第55-56页 |
3.2.3 X射线衍射分析(XRD) | 第56-57页 |
3.2.4 拉曼光谱分析(Raman) | 第57页 |
3.2.5 元素分析 | 第57-58页 |
3.2.6 陶瓷产率和收缩率测试 | 第58-59页 |
3.2.7 硬度和断裂韧性测试 | 第59-61页 |
3.2.8 扫描电子显微镜分析(SEM) | 第61-63页 |
3.2.9 透射电子显微镜分析(TEM) | 第63-64页 |
3.3 讨论与分析 | 第64-65页 |
3.4 本章小结 | 第65-67页 |
参考文献 | 第67-71页 |
第四章 SiC(rGO,Graphene)复合材料与SiC(rGO)多孔陶瓷的制备 | 第71-95页 |
4.1 引言 | 第71-72页 |
4.2 SiC(rGO,Graphene)复合材料的制备及表征 | 第72-79页 |
4.2.1 表观密度测试 | 第73-74页 |
4.2.2 X射线衍射分析(XRD) | 第74页 |
4.2.3 拉曼光谱分析(Raman) | 第74-75页 |
4.2.4 扫描电子显微镜分析(SEM) | 第75-77页 |
4.2.5 导电性测试 | 第77-79页 |
4.2.6 热扩散系数测试 | 第79页 |
4.3 大功率LED器件的封装 | 第79-84页 |
4.3.1 器件的制作 | 第79-80页 |
4.3.2 大功率LED器件的热阻测试 | 第80-83页 |
4.3.3 大功率LED器件的结温测试 | 第83-84页 |
4.4 多孔材料的制备初探 | 第84-90页 |
4.4.1 多孔陶瓷的外观及显微图像 | 第84-90页 |
4.5 讨论与分析 | 第90-91页 |
4.6 本章小结 | 第91-93页 |
参考文献 | 第93-95页 |
第五章 总结和展望 | 第95-97页 |
5.1 结论 | 第95-96页 |
5.2 展望 | 第96-97页 |
硕士期间科研成果 | 第97-99页 |
致谢 | 第99页 |