| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-26页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 二维材料(Graphene、MoS2、WSe2等)的性质 | 第10-20页 |
| 1.2.1 石墨烯的结构、性质及制备方法 | 第10-15页 |
| 1.2.2 硫化钼的结构、性质及制备方法 | 第15-18页 |
| 1.2.3 硒化钨的结构、性质及制备方法 | 第18-20页 |
| 1.3 二维材料异质结的分类、研究现状与分析 | 第20-22页 |
| 1.3.1 二维材料异质结的分类 | 第20-21页 |
| 1.3.2 二维材料异质结的研究现状与分析 | 第21-22页 |
| 1.4 本文的研究目的、意义与研究内容 | 第22-26页 |
| 1.4.1 研究目的、意义 | 第22-23页 |
| 1.4.2 研究内容 | 第23-26页 |
| 第2章 样品制备与测试技术 | 第26-32页 |
| 2.1 异质结样品的制备工艺 | 第26-27页 |
| 2.1.1 实验材料及药品 | 第26页 |
| 2.1.2 异质结制备方法 | 第26-27页 |
| 2.2 实验设备 | 第27-30页 |
| 2.2.1 等离子体刻蚀机 | 第27-28页 |
| 2.2.2 紫外曝光机 | 第28页 |
| 2.2.3 电子束蒸发镀膜系统 | 第28页 |
| 2.2.4 拉曼光谱仪 | 第28-29页 |
| 2.2.5 原子力显微镜 | 第29页 |
| 2.2.6 半导体器件分析仪 | 第29-30页 |
| 2.2.7 其它仪器 | 第30页 |
| 2.3 表征与测试 | 第30-31页 |
| 2.3.1 拉曼光谱(Raman) | 第30-31页 |
| 2.3.2 光致发光光谱(PL) | 第31页 |
| 2.3.3 微观形貌AFM及KPFM测试 | 第31页 |
| 2.3.4 电学性能测试 | 第31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-32页 |
| 第3章 二维石墨烯/硫化钼异质结能带结构及改善电学接触的研究 | 第32-50页 |
| 3.1 引言 | 第32-33页 |
| 3.2 石墨烯与硫化钼的制备 | 第33-35页 |
| 3.2.1 机械剥离制备石墨烯 | 第33页 |
| 3.2.2 化学气相沉积法(CVD)生长硫化钼 | 第33-35页 |
| 3.3 二维石墨烯/硫化钼垂直异质结制备及性能 | 第35-41页 |
| 3.3.1 石墨烯/硫化钼垂直异质结及器件制备 | 第35-36页 |
| 3.3.2 石墨烯/硫化钼垂直异质结拉曼及KPFM测试 | 第36-40页 |
| 3.3.3 二维石墨烯/硫化钼垂直异质结器件电学测试 | 第40-41页 |
| 3.4 二维石墨烯/硫化钼面内异质结制备及测试 | 第41-43页 |
| 3.4.1 石墨烯/硫化钼面内异质结制备 | 第41-42页 |
| 3.4.2 二维石墨烯/硫化钼面内异质结KPFM测试能带图 | 第42-43页 |
| 3.5 二维石墨烯/硫化钼/石墨烯面内异质结 | 第43-48页 |
| 3.5.1 石墨烯/硫化钼/石墨烯面内异质结制备 | 第43-46页 |
| 3.5.2 石墨烯/硫化钼/石墨烯面内异质结拉曼表征 | 第46-47页 |
| 3.5.3 石墨烯/硫化钼/石墨烯面内异质结电学性能测试 | 第47-48页 |
| 3.6 本章小结 | 第48-50页 |
| 第4章 二维石墨烯/硒化钨异质结能带结构及性能的研究 | 第50-62页 |
| 4.1 引言 | 第50-51页 |
| 4.2 二维石墨烯/硒化钨异质结器件制备 | 第51-57页 |
| 4.2.1 机械剥离石墨烯 | 第51-52页 |
| 4.2.2 机械剥离硒化钨 | 第52-54页 |
| 4.2.3 石墨烯/硒化钨异质结器件制备 | 第54-57页 |
| 4.3 二维石墨烯/硒化钨异质结表征与性能 | 第57-60页 |
| 4.3.1 二维石墨烯/硒化钨异质结拉曼表征 | 第57-58页 |
| 4.3.2 二维石墨烯/硒化钨异质结KPFM测试 | 第58-59页 |
| 4.3.3 二维石墨烯/硒化钨异质结器件电学性能测试 | 第59-60页 |
| 4.4 本章小结 | 第60-62页 |
| 结论与展望 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-70页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72页 |
