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三种新型两端半导体开关的快速脉冲产生电路研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
1 绪论第9-17页
    1.1 脉冲功率技术第9-10页
    1.2 脉冲功率开关第10-11页
    1.3 半导体脉冲功率器件第11-14页
    1.4 国内外研究现状第14-15页
    1.5 论文主要内容第15-17页
2 半导体脉冲功率开关工作原理第17-24页
    2.1 DSRD基本原理第17-19页
    2.2 RBDT基本原理第19-21页
    2.3 RSD基本原理第21-23页
    2.4 本章小结第23-24页
3 基于DSRD快速脉冲产生技术第24-36页
    3.1 电路仿真与PCB设计第24-30页
    3.2 基于DSRD脉冲产生电路实验第30-34页
    3.3 本章小结第34-36页
4 基于RBDT快速脉冲产生技术第36-49页
    4.1 RBDT触发电路设计第36-42页
    4.2 基于RBDT脉冲产生电路实验第42-47页
    4.3 本章小结第47-49页
5 基于RSD快速脉冲产生技术第49-57页
    5.1 RSD集成模块设计第49-51页
    5.2 基于RSD脉冲产生电路实验第51-55页
    5.3 本章小结第55-57页
6 结论与展望第57-59页
    6.1 结论第57-58页
    6.2 展望第58-59页
致谢第59-60页
参考文献第60-65页
附录1 攻读硕士期间发表的学术论文第65-66页
附录2 Marx发生器触发控制信号的关键代码第66-69页

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