三种新型两端半导体开关的快速脉冲产生电路研究
摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
1 绪论 | 第9-17页 |
1.1 脉冲功率技术 | 第9-10页 |
1.2 脉冲功率开关 | 第10-11页 |
1.3 半导体脉冲功率器件 | 第11-14页 |
1.4 国内外研究现状 | 第14-15页 |
1.5 论文主要内容 | 第15-17页 |
2 半导体脉冲功率开关工作原理 | 第17-24页 |
2.1 DSRD基本原理 | 第17-19页 |
2.2 RBDT基本原理 | 第19-21页 |
2.3 RSD基本原理 | 第21-23页 |
2.4 本章小结 | 第23-24页 |
3 基于DSRD快速脉冲产生技术 | 第24-36页 |
3.1 电路仿真与PCB设计 | 第24-30页 |
3.2 基于DSRD脉冲产生电路实验 | 第30-34页 |
3.3 本章小结 | 第34-36页 |
4 基于RBDT快速脉冲产生技术 | 第36-49页 |
4.1 RBDT触发电路设计 | 第36-42页 |
4.2 基于RBDT脉冲产生电路实验 | 第42-47页 |
4.3 本章小结 | 第47-49页 |
5 基于RSD快速脉冲产生技术 | 第49-57页 |
5.1 RSD集成模块设计 | 第49-51页 |
5.2 基于RSD脉冲产生电路实验 | 第51-55页 |
5.3 本章小结 | 第55-57页 |
6 结论与展望 | 第57-59页 |
6.1 结论 | 第57-58页 |
6.2 展望 | 第58-59页 |
致谢 | 第59-60页 |
参考文献 | 第60-65页 |
附录1 攻读硕士期间发表的学术论文 | 第65-66页 |
附录2 Marx发生器触发控制信号的关键代码 | 第66-69页 |