| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-25页 |
| 1.1 微电子封装技术简介 | 第11-12页 |
| 1.2 无铅钎料的发展 | 第12-14页 |
| 1.3 重熔过程中界面反应研究现状 | 第14-19页 |
| 1.3.1 反应控制模型 | 第14-15页 |
| 1.3.2 体控制模型 | 第15页 |
| 1.3.3 奥氏熟化模型 | 第15-16页 |
| 1.3.4 通量驱动熟化模型 | 第16-18页 |
| 1.3.5 晶界扩散模型 | 第18-19页 |
| 1.4 固相过程中界面反应研究现状 | 第19-21页 |
| 1.5 现有界面反应研究存在的问题 | 第21-22页 |
| 1.6 本课题的主要研究意义 | 第22-23页 |
| 1.7 本课题的主要研究内容 | 第23-25页 |
| 第2章 实验设计 | 第25-33页 |
| 2.1 技术路线 | 第25页 |
| 2.2 材料选择 | 第25-26页 |
| 2.3 凸点结构设计和制备 | 第26-28页 |
| 2.3.1 复合钎料的制备 | 第26页 |
| 2.3.2 BGA钎料球的制备 | 第26-27页 |
| 2.3.3 样品结构和制备 | 第27-28页 |
| 2.4 实验方法 | 第28-33页 |
| 2.4.1 液相反应实验 | 第30页 |
| 2.4.2 重熔实验 | 第30页 |
| 2.4.3 老化实验 | 第30-33页 |
| 第3章 液相反应中界面金属间化合物的生长行为 | 第33-43页 |
| 3.1 液相反应过程中POSS颗粒对界面IMC形貌的影响 | 第33-39页 |
| 3.1.1 240°CPOSS影响下液相反应过程中界面IMC的形貌分析 | 第33-36页 |
| 3.1.2 280°CPOSS影响下液相反应过程中界面IMC的形貌分析 | 第36-39页 |
| 3.2 POSS影响下液相反应过程中界面IMC的粗化行为 | 第39-41页 |
| 3.2.1 240°CPOSS影响下液相反应过程中界面IMC的粗化行为 | 第39-40页 |
| 3.2.2 280°CPOSS影响下液相反应过程中界面IMC的粗化行为 | 第40-41页 |
| 3.3 本章小结 | 第41-43页 |
| 第4章 空冷条件下界面金属间化合物的生长行为 | 第43-65页 |
| 4.1 POSS颗粒对空冷凝固钎料与焊盘界面IMC形貌的影响 | 第43-50页 |
| 4.1.1 240°CPOSS影响下空冷后界面IMC的形貌分析 | 第43-48页 |
| 4.1.2 280°CPOSS影响下空冷后界面IMC的形貌分析 | 第48-50页 |
| 4.2 基于晶界扩散理论的POSS影响下重熔后界面IMC的生长机制 | 第50-56页 |
| 4.3 POSS影响下的重熔过程界面IMC厚度生长机制分析 | 第56-57页 |
| 4.4 POSS影响下的空冷条件下界面IMC粗化生长机制分析 | 第57-61页 |
| 4.5 凝固过程中界面IMC的生长量 | 第61-62页 |
| 4.6 本章小结 | 第62-65页 |
| 第5章 固相反应时界面金属间化合物的生长行为 | 第65-93页 |
| 5.1 固相反应过程中界面IMC的形貌 | 第65-84页 |
| 5.1.1 重熔温度为240°C时界面IMC在老化过程中的形貌 | 第65-80页 |
| 5.1.2 重熔温度为280°C时界面IMC在老化过程中的形貌 | 第80-84页 |
| 5.2 POSS影响下的老化过程中界面IMC厚度生长机制分析 | 第84-89页 |
| 5.3 POSS影响下的老化过程中界面IMC粗化机制分析 | 第89-91页 |
| 5.4 本章小结 | 第91-93页 |
| 结论 | 第93-95页 |
| 参考文献 | 第95-99页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第99-101页 |
| 致谢 | 第101页 |
