硫化铅和硫化亚锡微纳米晶的制备及表征
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-17页 |
| ·半导体材料概述 | 第7页 |
| ·半导体纳米材料的物理和化学特性 | 第7-10页 |
| ·光学特性 | 第8-9页 |
| ·光电转换特性 | 第9页 |
| ·电学特性 | 第9-10页 |
| ·Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体材料 | 第10-13页 |
| ·硫化铅纳米晶的研究概况 | 第10-11页 |
| ·硫化亚锡纳米晶的研究概况 | 第11-13页 |
| ·实验中的表征技术及原理 | 第13-15页 |
| ·本论文的研究内容 | 第15-17页 |
| 第二章 硫化铅微纳米晶的制备与表征 | 第17-30页 |
| ·试剂与仪器 | 第17-18页 |
| ·PbS立方形纳米晶的制备与表征 | 第18-23页 |
| ·实验方法 | 第18页 |
| ·结构表征 | 第18-21页 |
| ·反应条件对形成PbS纳米晶的影响 | 第21-23页 |
| ·PbS纳米棒的制备与表征 | 第23-25页 |
| ·实验方法 | 第23页 |
| ·结果分析与讨论 | 第23-25页 |
| ·过量硫源对产物结构的影响 | 第25-29页 |
| ·实验方法 | 第25-26页 |
| ·结构表征 | 第26-28页 |
| ·成型机理分析 | 第28-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 硫化亚锡微纳米晶的制备及结构表征 | 第30-52页 |
| ·试剂与仪器 | 第30-31页 |
| ·一维结构SnS纳米晶的水热合成与表征 | 第31-35页 |
| ·实验方法 | 第31页 |
| ·结构表征 | 第31-33页 |
| ·溶剂对形成一维结构SnS纳米晶的影响 | 第33-34页 |
| ·反应温度的影响 | 第34页 |
| ·溶剂热条件下一维结构SnS的生长机理分析 | 第34-35页 |
| ·SnS微球的制备及性能研究 | 第35-42页 |
| ·实验方法 | 第35页 |
| ·结构表征 | 第35-36页 |
| ·反应条件对形成SnS微球结构的影响 | 第36-41页 |
| ·SnS微球的成型机理分析 | 第41-42页 |
| ·刺球状SnS微米晶的制备和表征 | 第42-48页 |
| ·实验方法 | 第42页 |
| ·结构表征 | 第42-44页 |
| ·反应条件对产物的影响 | 第44-46页 |
| ·反应时间对产物的影响 | 第46-47页 |
| ·SnS刺球的生长机理分析 | 第47-48页 |
| ·SnS纳米晶及微米晶的性能研究 | 第48-50页 |
| ·荧光性能 | 第48-49页 |
| ·电化学性能测试 | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 全文总结 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-59页 |
| 攻读硕士期间撰写和发表的论文 | 第59页 |
