| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-11页 |
| ·中子探测的意义 | 第7页 |
| ·中子的探测 | 第7-8页 |
| ·中子的分类 | 第7页 |
| ·中子探测原理 | 第7-8页 |
| ·各种探测器的工作类型及特点 | 第8页 |
| ·国内外研究现状 | 第8-9页 |
| ·论文的主要内容和架构 | 第9-11页 |
| 第二章 辐射粒子与硅材料的作用机制 | 第11-21页 |
| ·γ射线与硅材料的相互作用 | 第11页 |
| ·中子和硅材料的相互作用 | 第11-12页 |
| ·中子在硅材料中的位移损伤 | 第12-13页 |
| ·空间电荷模型 | 第13-14页 |
| ·电阻率和迁移率与温度关系 | 第14-15页 |
| ·探测器材料的选择 | 第15页 |
| ·数值模拟工具介绍 | 第15-20页 |
| ·网格 | 第16-17页 |
| ·工艺模型 | 第17-19页 |
| ·器件模拟 | 第19页 |
| ·器件模拟面临的挑战 | 第19-20页 |
| ·小结 | 第20-21页 |
| 第三章 PIN 二极管快中子探测器模型 | 第21-32页 |
| ·PIN 二极管基区电压 | 第21-27页 |
| ·不同少子寿命对基区电压变化量的影响 | 第23-26页 |
| ·不同基区宽度对基区电压变化量的影响 | 第26-27页 |
| ·载流子的去除效应引起的电压变化 | 第27-31页 |
| ·初始电阻率对探测快中子灵敏度的影响 | 第28-29页 |
| ·不同电流密度对PIN 二极管探测快中子灵敏度的影响 | 第29-31页 |
| ·小结 | 第31-32页 |
| 第四章 PIN 二极管的工艺模拟 | 第32-36页 |
| ·矩形结构器件的建立 | 第32页 |
| ·工艺过程的分析 | 第32-35页 |
| ·小结 | 第35-36页 |
| 第五章 PIN 二极管快中子探测器的器件模拟 | 第36-54页 |
| ·陷阱模型 | 第36-37页 |
| ·PIN 二极管探测器基本特性模拟与讨论 | 第37-41页 |
| ·PIN 二极管探测器的温度效应的模拟 | 第41-42页 |
| ·PIN 二极管探测器的辐照性能模拟 | 第42-45页 |
| ·反向漏电流 | 第45-48页 |
| ·扩散电流 | 第45-46页 |
| ·产生电流 | 第46页 |
| ·表面漏电流 | 第46-48页 |
| ·电阻率和晶向对PIN 探测器漏电流的影响 | 第48-49页 |
| ·保护环PIN 二极管结构 | 第49-52页 |
| ·器件的结构 | 第49-50页 |
| ·模拟结果与讨论 | 第50-52页 |
| ·降低漏电流的其它方法 | 第52-53页 |
| ·覆盖有机保护材料 | 第52页 |
| ·采用倒T 结构 | 第52-53页 |
| ·小结 | 第53-54页 |
| 第六章 总结与展望 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-62页 |
| 附录：作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第62页 |