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气相渗硅法制备SiC/SiC复合材料与性能研究

摘要第10-11页
ABSTRACT第11-12页
第一章 绪论第13-26页
    1.1 SiC纤维发展状况第13-15页
        1.1.1 化学气相沉积法第14页
        1.1.2 化学气相反应法第14页
        1.1.3 先驱体转化法第14页
        1.1.4 微粉烧结法第14-15页
    1.2 SiC/SiC复合材料界面层的研究进展第15-16页
        1.2.1 C界面涂层第15页
        1.2.2 SiC界面涂层第15-16页
        1.2.3 BN界面涂层第16页
        1.2.4 多层界面涂层第16页
    1.3 SiC/SiC复合材料制备方法进展第16-20页
        1.3.1 化学气相渗透工艺第16-17页
        1.3.2 先驱体浸渍裂解工艺第17-18页
        1.3.3 纳米浸渍与瞬时共晶工艺第18-19页
        1.3.4 反应浸渗工艺第19-20页
            1.3.4.1 液相渗硅工艺第19-20页
            1.3.4.2 气相渗硅工艺第20页
        1.3.5 料浆浸渍热压烧结工艺第20页
    1.4 SiC/SiC复合材料的应用第20-24页
        1.4.1 在航空航天领域的应用第21-23页
        1.4.2 在核聚变领域的应用第23-24页
    1.5 选题依据和研究内容第24-26页
        1.5.1 论文选题依据第24页
        1.5.2 主要研究内容第24-26页
第二章 实验设备与研究方法第26-32页
    2.1 实验原材料第26页
    2.2 实验设备及仪器第26-27页
    2.3 复合材料试样的制备第27-28页
        2.3.1 材料涂层的制备第27-28页
        2.3.2 SiC/C中间体的制备第28页
        2.3.3 SiC/SiC复合材料的制备第28页
    2.4 材料性能测试与表征方法第28-32页
        2.4.1 密度及气孔率的测试第28页
        2.4.2 材料弯曲强度和模量性能的测试第28-29页
        2.4.3 材料的断裂韧性测试第29-30页
        2.4.4 残余硅和残余碳含量的测定第30-31页
        2.4.5 材料物相组成分析第31页
        2.4.6 材料微观形貌分析第31-32页
第三章 SiC/C中间体PIPC含量的优化设计第32-47页
    3.1 无界面涂层SiC/C中间体PIPC含量的优化设计第32-39页
        3.1.1 SiC/C中间体临界碳含量以及临界孔隙率的计算第32-33页
        3.1.2 PIPC周期数对无涂层的SiC/C中间体孔隙率和密度的影响第33-34页
        3.1.3 无涂层SiC/C中间体组成对SiC/SiC复合材料组成的影响第34-36页
        3.1.4 无涂层SiC/C中间体组成对SiC/SiC复合材料力学性能的影响第36-37页
        3.1.5 无涂层中间体组成对SiC/SiC复合材料的断裂行为和微观结构影响第37-39页
    3.2 碳界面涂层SiC/C中间体PIPC含量的优化设计第39-45页
        3.2.1 碳界面涂层的制备与表征第39-40页
        3.2.2 PIPC周期数对碳界面涂层SiC/C中间体的密度和孔隙率的影响第40-41页
        3.2.3 碳界面涂层SiC/C中间体组成对SiC/SiC复合材料组成的影响第41-42页
        3.2.4 碳界面涂层SiC/C中间体组成对SiC/SiC复合材料力学性能的影响第42-43页
        3.2.5 碳界面涂层中间体组成对SiC/SiC复合材料微观结构的影响第43-45页
    3.3 小结第45-47页
第四章 界面涂层改性对气相渗硅法制备SiC/SiC复合材料性能的影响第47-66页
    4.1 不同厚度碳界面涂层对SiC/SiC复合材料力学性能影响第47-53页
        4.1.1 不同厚度碳界面涂层的制备第47-48页
        4.1.2 不同厚度碳界面涂层的SiC/C中间体的制备第48-49页
        4.1.3 碳界面涂层厚度对SiC/SiC复合材料组成和力学性能的影响第49-51页
        4.1.4 碳界面涂层厚度对SiC/SiC复合材料的断裂方式和微观形貌的影响第51-53页
    4.2 不同厚度SiC界面涂层对SiC/SiC复合材料力学性能的影响第53-59页
        4.2.1 不同厚度SiC界面涂层的制备第53-54页
        4.2.2 不同厚度SiC界面涂层的SiC/C中间体的制备第54-55页
        4.2.3 碳化硅界面涂层对SiC/SiC复合材料组成和力学性能影响第55-57页
        4.2.4 碳化硅界面涂层厚度对SiC/SiC复合材料的断裂方式和微观形貌影响第57-59页
    4.3 双层界面涂层对SiC/SiC复合材料力学性能的影响第59-65页
        4.3.1 双层界面涂层的制备第59-60页
        4.3.2 双层复合界面涂层的SiC/C中间体的制备第60-61页
        4.3.3 双层复合界面涂层对SiC/SiC复合材料力学性能的影响第61-63页
        4.3.4 双层界面涂层厚度对SiC/SiC复合材料的断裂方式和微观形貌的影响第63-65页
    4.4 小结第65-66页
第五章 不同碳基体对SiC/SiC复合材料的制备和性能影响第66-77页
    5.1 呋喃树脂裂解制备碳基体对SiC/SiC复合材料的制备和性能的影响第66-72页
        5.1.1 PIP周期数对呋喃树脂SiC/C中间体密度和孔隙率的影响第66-68页
        5.1.2 呋喃树脂SiC/C中间体碳含量对GISSiC/SiC复合材料组成的影响第68-69页
        5.1.3 呋喃树脂SiC/C中间体碳含量对GISSiC/SiC复合材料力学性能影响第69-70页
        5.1.4 呋喃树脂中间体裂解碳含量对GSI工艺制备SiC/SiC复合材料断裂行为和微观结构影响第70-72页
    5.2 酚醛树脂裂解制备碳基体对SiC/SiC复合材料的制备和性能的影响第72-76页
        5.2.1 PIP周期数对酚醛树脂SiC/C中间体的密度和孔隙率影响第72-73页
        5.2.2 酚醛树脂SiC/C中间体碳含量对GSISiC/SiC复合材料组成的影响第73-74页
        5.2.3 酚醛树脂中间体裂解碳含量对GSI工艺制备SiC/SiC复合材料力学性能和微观形貌的影响第74-76页
    5.3 小结第76-77页
结束语第77-79页
致谢第79-80页
参考文献第80-84页
作者在学期间取得的学术成果第84页

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