| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪言 | 第11-53页 |
| 1.1 石墨烯概述 | 第11-17页 |
| 1.1.1 石墨烯的发现 | 第11-13页 |
| 1.1.2 石墨烯的电子能带结构 | 第13-16页 |
| 1.1.3 石墨烯的性质 | 第16-17页 |
| 1.2 石墨烯的制备方法 | 第17-22页 |
| 1.2.1 机械剥离法 | 第18-19页 |
| 1.2.2 氧化还原法 | 第19-20页 |
| 1.2.3 CVD法 | 第20-21页 |
| 1.2.4 SiC外延生长法 | 第21-22页 |
| 1.3 CVD法制备双层石墨烯的研究进展 | 第22-29页 |
| 1.3.1 镍 | 第22-24页 |
| 1.3.2 镍铜合金 | 第24-26页 |
| 1.3.3 铜 | 第26-29页 |
| 1.4 石墨烯的表征 | 第29-38页 |
| 1.4.1 石墨烯的表征技术 | 第29-33页 |
| 1.4.2 石墨烯的光学成像及研究进展 | 第33-38页 |
| 1.5 石墨烯的应用 | 第38-41页 |
| 1.6 选题依据与研究内容 | 第41-44页 |
| 1.6.1 选题依据 | 第41-42页 |
| 1.6.2 研究内容 | 第42-44页 |
| 参考文献 | 第44-53页 |
| 第二章 大面积AB堆积双层石墨烯的制备 | 第53-75页 |
| 2.1 引言 | 第53-54页 |
| 2.2 实验试剂和仪器 | 第54页 |
| 2.3 双层石墨烯的制备与转移 | 第54-58页 |
| 2.3.1 CVD设备的改造及性能优化 | 第55页 |
| 2.3.2 水脉冲的引入 | 第55-56页 |
| 2.3.3 石墨烯的制备过程 | 第56-57页 |
| 2.3.4 石墨烯的转移 | 第57-58页 |
| 2.4 石墨烯的表征 | 第58-63页 |
| 2.4.1 石墨烯的质量 | 第59-60页 |
| 2.4.2 石墨烯的堆积方式 | 第60-61页 |
| 2.4.3 石墨烯的堆积顺序 | 第61-63页 |
| 2.5 水脉冲的参数对双层石墨烯的成核及生长的影响 | 第63-66页 |
| 2.5.1 水脉冲分压 | 第63-64页 |
| 2.5.2 水脉冲的间隔时间 | 第64-65页 |
| 2.5.3 水脉冲对石墨烯的刻蚀作用 | 第65-66页 |
| 2.6 水脉冲辅助CVD双层石墨烯的生长机理 | 第66-69页 |
| 2.6.1 双层石墨烯的成核 | 第66页 |
| 2.6.2 双层石墨烯的生长 | 第66-67页 |
| 2.6.3 双层石墨烯的形成机理 | 第67-69页 |
| 2.7 小结 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-75页 |
| 第三章 Cu基底上CVD石墨烯层数的快速表征 | 第75-93页 |
| 3.1 引言 | 第75-76页 |
| 3.2 实验试剂和仪器 | 第76页 |
| 3.3 石墨烯的制备与等离子体刻蚀 | 第76-77页 |
| 3.3.1 多层石墨烯的制备 | 第76-77页 |
| 3.3.2 等离子体刻蚀 | 第77页 |
| 3.4 石墨烯层数的表征 | 第77-82页 |
| 3.4.1 多层石墨烯的SEM表征 | 第77-78页 |
| 3.4.2 多层石墨烯的光学表征 | 第78-82页 |
| 3.5 机理分析 | 第82-88页 |
| 3.5.1 等离子体刻蚀的石墨烯的拉曼光谱 | 第82-83页 |
| 3.5.2 等离子体刻蚀的石墨烯样品表面氧化层的厚度分析 | 第83-85页 |
| 3.5.3 氧等离子体轰击石墨烯的分子动力学模拟 | 第85-88页 |
| 3.6 小结 | 第88-89页 |
| 参考文献 | 第89-93页 |
| 第四章 石墨烯生物电极的应用研究 | 第93-105页 |
| 4.1 引言 | 第93-94页 |
| 4.2 实验试剂和仪器 | 第94页 |
| 4.3 石墨烯基器件的制备 | 第94-95页 |
| 4.3.1 石墨烯的制备 | 第94页 |
| 4.3.2 石墨烯的转移 | 第94页 |
| 4.3.3 石墨烯基器件的制备 | 第94-95页 |
| 4.4 小鼠大脑皮层神经元细胞的原代培养 | 第95页 |
| 4.5 数据分析 | 第95-100页 |
| 4.5.1 石墨烯基器件的T-V曲线 | 第95-96页 |
| 4.5.2 石墨烯基器件的稳定性 | 第96页 |
| 4.5.3 石墨烯的生物相容性 | 第96-98页 |
| 4.5.4 电刺激对神经元细胞生长的影响 | 第98-99页 |
| 4.5.5 钙成像分析 | 第99-100页 |
| 4.6 结论 | 第100-101页 |
| 参考文献 | 第101-105页 |
| 第五章 总结与展望 | 第105-107页 |
| 致谢 | 第107-109页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第109页 |