InGaAs APD红外探测器结构设计及性能研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第7-14页 |
| 1.1 研究背景 | 第7-8页 |
| 1.2 APD探测器的发展 | 第8-12页 |
| 1.2.1 APD结构发展 | 第8-9页 |
| 1.2.2 APD材料分类 | 第9-11页 |
| 1.2.3 APD国内外发展现状 | 第11-12页 |
| 1.3 本文主要研究内容 | 第12-14页 |
| 第二章 外延制备与性能表征设备 | 第14-20页 |
| 2.1 外延制备 | 第14-17页 |
| 2.1.1 分子束外延技术 | 第14-15页 |
| 2.1.2 Zn扩散实验装置 | 第15-17页 |
| 2.2 性能表征设备 | 第17-19页 |
| 2.2.1 高精度探针台 | 第17-18页 |
| 2.2.2 自装光照响应测试系统 | 第18-19页 |
| 2.2.3 扫描电镜显微镜 | 第19页 |
| 2.3 本章小结 | 第19-20页 |
| 第三章 APD器件结构设计 | 第20-42页 |
| 3.1 silvaco-TCAD软件介绍 | 第20-21页 |
| 3.2 物理模型 | 第21-24页 |
| 3.2.1 迁移率模型 | 第21-22页 |
| 3.2.2 产生复合模型 | 第22-23页 |
| 3.2.3 局域模型和非局域模型 | 第23-24页 |
| 3.3 仿真建模 | 第24-29页 |
| 3.3.1 结构描述 | 第24-25页 |
| 3.3.2 材料参数及模型 | 第25-26页 |
| 3.3.3 数值计算方法 | 第26页 |
| 3.3.4 器件特性结果 | 第26-29页 |
| 3.4 结构设计 | 第29-40页 |
| 3.4.1 电场分布 | 第30-34页 |
| 3.4.2 贯穿电压与击穿电压相互关系 | 第34-36页 |
| 3.4.3 倍增区与击穿电压、贯穿电压关系 | 第36-38页 |
| 3.4.4 交流小信号特性 | 第38-39页 |
| 3.4.5 光响应特性 | 第39-40页 |
| 3.5 本章小结 | 第40-42页 |
| 第四章 APD器件制备与性能分析 | 第42-63页 |
| 4.1 APD器件制备 | 第42-46页 |
| 4.1.1 APD器件保护环设计 | 第42-43页 |
| 4.1.2 APD器件工艺流程 | 第43-44页 |
| 4.1.3 APD器件Zn扩散 | 第44-46页 |
| 4.2 APD器件性能分析 | 第46-61页 |
| 4.2.1 器件I-V特性分析 | 第47-51页 |
| 4.2.2 器件C-V特性分析 | 第51-54页 |
| 4.2.3 器件I-T特性分析 | 第54-56页 |
| 4.2.4 器件响应特性分析 | 第56-58页 |
| 4.2.5 保护环对器件的击穿电压作用 | 第58-59页 |
| 4.2.6 器件贯穿电压与击穿电压关系 | 第59-61页 |
| 4.3 本章总结 | 第61-63页 |
| 第五章 总结与展望 | 第63-67页 |
| 5.1 论文总结 | 第63-65页 |
| 5.2 后期展望 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 附录 研究成果 | 第73-74页 |
