摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-8页 |
第一章 绪论 | 第13-26页 |
1.1 研究背景 | 第13页 |
1.2 半导体光催化材料 | 第13-21页 |
1.2.1 半导体光催化的基本原理 | 第13-15页 |
1.2.2 半导体复合材料应用 | 第15-18页 |
1.2.3 半导体材料光催化的影响因素 | 第18-21页 |
1.3 半导体复合材料的分类 | 第21-22页 |
1.4 研究存在的问题 | 第22-23页 |
1.5 本论文的研究意义及主要内容 | 第23-26页 |
1.5.1 研究意义 | 第23-24页 |
1.5.2 主要内容 | 第24-26页 |
第二章 选择性合成分层多孔CuO纳米晶微结构 | 第26-42页 |
2.1 引言 | 第26-28页 |
2.2 实验部分 | 第28-30页 |
2.2.1 原料试剂 | 第28页 |
2.2.2 实验材料 | 第28页 |
2.2.3 主要仪器和设备 | 第28-29页 |
2.2.4 样品的制备 | 第29-30页 |
2.3 结果与讨论 | 第30-37页 |
2.3.1 可控选择性合成CuO纳米微结构 | 第30-35页 |
2.3.2 XRD和普通拉曼分析 | 第35页 |
2.3.3 CuO纳米微结构TEM分析 | 第35-37页 |
2.4 选择性合成CuO纳米微结构的原理 | 第37-41页 |
2.4.1 N_2气流的双重作用 | 第37-41页 |
2.5 本章小结 | 第41-42页 |
第三章 光化学合成Ag/CuO异质结构及光催化性能 | 第42-58页 |
3.1 引言 | 第42-43页 |
3.2 实验部分 | 第43-45页 |
3.2.1 原料试剂 | 第43-44页 |
3.2.2 实验设备及实验仪器 | 第44页 |
3.2.3 Ag/CuO异质结构的制备 | 第44页 |
3.2.4 光催化测试 | 第44-45页 |
3.3 实验结果及讨论 | 第45-48页 |
3.3.1 Ag/CuO异质结构纳米晶的形貌特征 | 第45-46页 |
3.3.2 XRD和EDS数据分析 | 第46-48页 |
3.3.3 Ag/CuO异质结构TEM分析 | 第48页 |
3.4 光化学合成Ag/CuO异质结构的原理 | 第48-51页 |
3.5 可见光催化活性 | 第51-56页 |
3.5.1 可见光降解亚甲基蓝(MB) | 第51-53页 |
3.5.2 光催化稳定性和再循环能力测试 | 第53-54页 |
3.5.3 光催化机理 | 第54-56页 |
3.6 本章小结 | 第56-58页 |
第四章 Ag2O/ZnO纳米复合材料及光催化性能 | 第58-76页 |
4.1 引言 | 第58-59页 |
4.2 实验部分 | 第59-61页 |
4.2.1 原料试剂 | 第59页 |
4.2.2 实验材料和实验设备 | 第59页 |
4.2.3 样品的制备 | 第59-60页 |
4.2.4 催化性能的测试 | 第60-61页 |
4.3 实验结果及讨论 | 第61-71页 |
4.3.1 ZnO基底对纳米棒形貌的影响 | 第61-63页 |
4.3.2 样品XRD表征 | 第63-64页 |
4.3.3 X射线光电子能谱分析(XPS) | 第64-66页 |
4.3.4 紫外辐射时间对样品形貌的影响 | 第66-69页 |
4.3.5 荧光(PL)和表面吸附(BET)分析 | 第69-71页 |
4.4 Ag_2O/ZnO纳米复合材料的光催化性能 | 第71-72页 |
4.5 Ag_2O/ZnO复合材料的光催化机理探究 | 第72-74页 |
4.6 本章小结 | 第74-76页 |
第五章 银基纳米复合材料及可见光下的催化性能 | 第76-91页 |
5.1 引言 | 第76-77页 |
5.2 实验部分 | 第77页 |
5.2.1 原料试剂 | 第77页 |
5.2.2 实验仪器及设备 | 第77页 |
5.3 结果及讨论 | 第77-84页 |
5.3.1 AgNO_3(乙醇,30%)光化学还原 | 第77-80页 |
5.3.2 AgNO_3(乙醇,10%)光化学还原 | 第80-81页 |
5.3.3 样品XRD分析 | 第81-82页 |
5.3.4 样品DRS和BET测试 | 第82-84页 |
5.4 复合光催化剂性能研究 | 第84-88页 |
5.5 可见光下不同光催化剂的机理探究 | 第88-90页 |
5.6 本章小结 | 第90-91页 |
第六章 结论与展望 | 第91-94页 |
6.1 结论 | 第91-92页 |
6.2 展望 | 第92-94页 |
参考文献 | 第94-115页 |
攻读硕士学位期间取得的成果 | 第115-116页 |
致谢 | 第116-117页 |