| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 课题的研究背景 | 第9-12页 |
| 1.1.1 计算材料学与计算机模拟技术的发展 | 第9-10页 |
| 1.1.2 高压领域研究的现实意义 | 第10-12页 |
| 1.2 第一性原理计算法的发展与意义 | 第12-13页 |
| 1.3 晶体硒的国内外研究现状 | 第13-19页 |
| 1.4 论文的研究意义、思路和内容 | 第19-21页 |
| 第2章 计算理论基础和晶体的建模 | 第21-34页 |
| 2.1 CASTEP软件介绍 | 第21页 |
| 2.2 计算理论基础 | 第21-28页 |
| 2.2.1 密度泛函理论 | 第21-22页 |
| 2.2.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第22-25页 |
| 2.2.3 自洽计算 | 第25-26页 |
| 2.2.4 广义梯度近似 | 第26-27页 |
| 2.2.5 赝势法 | 第27-28页 |
| 2.3 Se各晶体相的建模和结构优化 | 第28-34页 |
| 第3章Se各晶体电子结构的第一性原理计算 | 第34-48页 |
| 3.1 引言 | 第34页 |
| 3.2 计算方法 | 第34-35页 |
| 3.3 计算结果与讨论 | 第35-46页 |
| 3.3.1 六角相晶体电子结构的第一性原理计算 | 第35-39页 |
| 3.3.2 Se菱方相晶体电子结构的第一性原理计算 | 第39-40页 |
| 3.3.3 Se体心立方相晶体电子结构的第一性原理计算 | 第40-43页 |
| 3.3.4 Se单斜相晶体电子结构的第一性原理计算 | 第43-45页 |
| 3.3.5 Se三斜相晶体电子结构的第一性原理计算 | 第45-46页 |
| 3.4 本章小结 | 第46-48页 |
| 第4章Se各晶体相结构稳定性的第一性原理计算 | 第48-56页 |
| 4.1 引言 | 第48页 |
| 4.2 计算方法 | 第48-49页 |
| 4.3 计算结果与讨论 | 第49-55页 |
| 4.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
