| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-31页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 一维ZnO纳米材料的研究 | 第12-17页 |
| 1.2.1 一维ZnO纳米材料的结构与性质 | 第12-13页 |
| 1.2.2 一维ZnO纳米材料的形貌研究 | 第13-15页 |
| 1.2.3 基于一维ZnO纳米材料的器件的研究 | 第15-17页 |
| 1.3 一维ZnO纳米材料肖特基势垒的研究现状 | 第17-20页 |
| 1.3.1 肖特基势垒输运特性的研究 | 第17-19页 |
| 1.3.2 对肖特基势垒高度的调控 | 第19-20页 |
| 1.4 磁场对一维ZnO纳米材料输运特性的影响 | 第20-23页 |
| 1.5 本论文研究的意义、思路和主要内容 | 第23-25页 |
| 1.5.1 论文的研究意义 | 第23页 |
| 1.5.2 论文的研究思路 | 第23页 |
| 1.5.3 论文的主要内容 | 第23-25页 |
| 参考文献 | 第25-31页 |
| 第二章 ZnO纳米带的制备、表征及单根肖特基器件的构筑 | 第31-45页 |
| 2.1 引言 | 第31-32页 |
| 2.2 ZnO纳米带的制备 | 第32-33页 |
| 2.3 ZnO纳米带的表征 | 第33-39页 |
| 2.4 单根ZnO纳米带肖特基器件的构筑 | 第39-41页 |
| 2.4.1 电场组装原理 | 第39页 |
| 2.4.2 单根ZnO纳米带器件组装过程 | 第39-41页 |
| 2.5 本章小结 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-45页 |
| 第三章 磁场调控下ZnO纳米带肖特基势垒的输运性质 | 第45-55页 |
| 3.1 引言 | 第45-46页 |
| 3.2 常温单根ZnO纳米带肖特基器件势垒输运性质 | 第46-48页 |
| 3.3 低温磁场调控下单根ZnO纳米带肖特基器件势垒输运性质 | 第48-52页 |
| 3.3.1 水平放置的单根ZnO纳米带器件肖特基器件势垒输运性质 | 第48-49页 |
| 3.3.2 竖直放置的单根ZnO纳米带器件肖特基器件势垒输运性质 | 第49-52页 |
| 3.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-55页 |
| 第四章 霍尔势垒理论模型的构建及分析 | 第55-65页 |
| 4.1 引言 | 第55页 |
| 4.2 霍尔势垒理论模型构建 | 第55-58页 |
| 4.2.1 带电粒子在磁场中的运动 | 第55-57页 |
| 4.2.2 霍尔势垒理论模型 | 第57-58页 |
| 4.3 霍尔势垒理论模型的分析 | 第58-60页 |
| 4.4 本章小结 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 总结与展望 | 第65-67页 |
| 攻读硕士学位期间完成的工作 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
