| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 铁电材料 | 第11-12页 |
| 1.2 铁电材料的分类 | 第12-14页 |
| 1.3 铁电薄膜研究现状及问题 | 第14-16页 |
| 1.4 PHT材料简介 | 第16页 |
| 1.5 钙钛矿型铁电薄膜 | 第16-20页 |
| 1.5.1 钙钛矿型铁电薄膜的结构特点 | 第16-18页 |
| 1.5.2 钙钛矿型铁电薄膜的取向研究 | 第18-20页 |
| 1.6 论文选题及研究方案 | 第20-21页 |
| 第二章 薄膜的制备工艺与表征方法 | 第21-30页 |
| 2.1 PHT薄膜的制备方法简介 | 第21-23页 |
| 2.2 PHT薄膜的微观结构表征方法 | 第23-26页 |
| 2.2.1 X射线衍射仪(XRD) | 第23-24页 |
| 2.2.2 原子力显微镜(AFM) | 第24-25页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜(SEM) | 第25-26页 |
| 2.3 PHT薄膜的电学性能测试 | 第26-30页 |
| 2.3.1 绝缘性能(漏电流)测试 | 第26-27页 |
| 2.3.2 铁电性能测试 | 第27-29页 |
| 2.3.3 介电性能测试 | 第29-30页 |
| 第三章 Pt/TiO_2/SiO_2/Si衬底上PHT薄膜的生长及性能研究 | 第30-42页 |
| 3.1 脉冲激光沉积法制备PHT薄膜 | 第30-31页 |
| 3.2 氧分压对PHT薄膜的影响 | 第31-33页 |
| 3.3 生长温度对PHT薄膜的影响 | 第33-35页 |
| 3.4 低温自缓冲层对PHT薄膜的影响 | 第35-41页 |
| 3.4.1 PHT薄膜的微观结构 | 第36-38页 |
| 3.4.2 PHT薄膜的电学性能 | 第38-41页 |
| 3.5 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 Al_2O_3衬底上PHT薄膜的生长及性能研究 | 第42-54页 |
| 4.1 Al_2O_3衬底上直接制备PHT薄膜 | 第42-43页 |
| 4.2 Al_2O_3衬底上MgO缓冲制备PHT薄膜 | 第43-45页 |
| 4.3 不同底电极对PHT薄膜的影响 | 第45-50页 |
| 4.3.1 PHT薄膜的微观结构分析 | 第45-47页 |
| 4.3.2 PHT薄膜的性能分析 | 第47-50页 |
| 4.4 MgO缓冲层对PHT性能的影响 | 第50-52页 |
| 4.4.1 薄膜的铁电极化性能 | 第50-51页 |
| 4.4.2 薄膜的抗疲劳特性 | 第51-52页 |
| 4.4.3 薄膜的绝缘特性 | 第52页 |
| 4.5 本章小结 | 第52-54页 |
| 第五章 PHT薄膜与GaN半导体的集成及性能研究 | 第54-63页 |
| 5.1 GaN衬底上直接制备PHT薄膜 | 第54-55页 |
| 5.2 GaN衬底上MgO缓冲制备PHT薄膜 | 第55-57页 |
| 5.3 PHT/GaN集成薄膜性能分析 | 第57-61页 |
| 5.3.1 C-V特性 | 第58-61页 |
| 5.3.2 I-V特性 | 第61页 |
| 5.4 本章小结 | 第61-63页 |
| 第六章 结论 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-71页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第71-72页 |
