| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 紫外探测器研究的背景和意义 | 第10-11页 |
| 1.2 ZnO基材料的性质 | 第11-13页 |
| 1.3 Mg_xZn_(1-x)O合金材料的基本性质 | 第13-15页 |
| 1.4 国内外研究现状 | 第15-19页 |
| 1.4.1 Mg_xZn_(1-x)O材料国外研究现状 | 第15-17页 |
| 1.4.2 Mg_xZn_(1-x)O材料国内研究现状 | 第17-19页 |
| 1.5 本论文研究目的和主要研究内容 | 第19-22页 |
| 第2章 Mg_xZn_(1-x)O薄膜的制备技术和表征分析方法 | 第22-31页 |
| 2.1 实验方法与实验设备 | 第22-24页 |
| 2.1.1 磁控溅射装置 | 第22-23页 |
| 2.1.2 热退火设备 | 第23-24页 |
| 2.1.3 实验原料 | 第24页 |
| 2.2 薄膜质量与性能表征 | 第24-29页 |
| 2.2.1 薄膜结构与成分表征 | 第24-27页 |
| 2.2.2 薄膜的表面形貌表征 | 第27-28页 |
| 2.2.3 薄膜的电学性能表征 | 第28页 |
| 2.2.4 薄膜的光学性能表征 | 第28-29页 |
| 2.3 器件的光电性能表征 | 第29-31页 |
| 2.3.1 电化学工作站 | 第29页 |
| 2.3.2 光电响应测试 | 第29-31页 |
| 第3章 低Mg组分Mg_xZn_(1-x)O薄膜带隙调节及性能研究 | 第31-52页 |
| 3.1 溅射生长参数对Mg_xZn_(1-x)O薄膜带隙调节的研究 | 第31-44页 |
| 3.1.1 溅射功率对Mg_xZn_(1-x)O薄膜带隙调节的影响 | 第31-35页 |
| 3.1.2 溅射氧氩比Mg_xZn_(1-x)O薄膜带隙调节的影响 | 第35-39页 |
| 3.1.3 溅射压强对Mg_xZn_(1-x)O薄膜带隙调节的影响 | 第39-44页 |
| 3.2 退火温度对Mg_xZn_(1-x)O薄膜带隙调节及薄膜质量的影响 | 第44-50页 |
| 3.2.1 退火温度对Mg_xZn_(1-x)O薄膜结构成分的影响 | 第44-46页 |
| 3.2.2 退火温度对Mg_xZn_(1-x)O薄膜表面形貌的影响 | 第46-47页 |
| 3.2.3 退火温度对Mg_xZn_(1-x)O薄膜材料光学性能的影响 | 第47-49页 |
| 3.2.4 退火温度对Mg_xZn_(1-x)O薄膜电学性能的影响 | 第49-50页 |
| 3.3 本章小结 | 第50-52页 |
| 第4章 高Mg组分Mg_xZn_(1-x)O薄膜制备及带隙调节研究 | 第52-58页 |
| 4.1 高Mg组分Mg_xZn_(1-x)O薄膜材料的制备 | 第52页 |
| 4.2 Mg_xZn_(1-x)O薄膜结构质量及带隙变化分析 | 第52-56页 |
| 4.3 本章小结 | 第56-58页 |
| 第5章 Mg_xZn_(1-x)O基光电导结构材料制备及性能研究 | 第58-64页 |
| 5.1 光电导型器件的结构设计及响应谱分析测试 | 第58-62页 |
| 5.1.1 热退火对器件光电响应的影响 | 第58-60页 |
| 5.1.2 Mg组分对光电导型器件性能的影响 | 第60-61页 |
| 5.1.3 ZnO缓冲层对光电导型器件的影响 | 第61-62页 |
| 5.2 本章小结 | 第62-64页 |
| 结论 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
