| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 . 绪论 | 第11-20页 |
| 1.1 研究背景 | 第11-12页 |
| 1.2 VO_2的晶体结构变化 | 第12-14页 |
| 1.3 VO_2相变特性 | 第14-17页 |
| 1.3.1 电学特性 | 第14-15页 |
| 1.3.2 光学性质 | 第15-16页 |
| 1.3.3 回滞宽度以及相变温度 | 第16-17页 |
| 1.4 VO_2薄膜的相变特性 | 第17页 |
| 1.5 VO_2薄膜的应用以及性能优化 | 第17-20页 |
| 1.5.1 智能窗材料 | 第18页 |
| 1.5.2 光储存材料 | 第18页 |
| 1.5.3 开关器件 | 第18-19页 |
| 1.5.4 红外探测仪 | 第19页 |
| 1.5.5 激光防护 | 第19-20页 |
| 第二章 . VO_2薄膜的制备及表征 | 第20-30页 |
| 2.1 主要制备方法 | 第20-22页 |
| 2.1.1 溶胶-凝胶法（sol-gel） | 第20页 |
| 2.1.2 真空蒸发镀膜法 | 第20页 |
| 2.1.3 化学气相沉积法 | 第20-21页 |
| 2.1.4 脉冲激光沉积法 | 第21页 |
| 2.1.5 溅射镀膜法 | 第21-22页 |
| 2.2 磁控溅射氧化耦合法及其特点 | 第22-24页 |
| 2.2.1 磁控溅射镀膜的原理 | 第22-23页 |
| 2.2.2 磁控溅射氧化耦合法 | 第23-24页 |
| 2.2.3 磁控溅射氧化耦合法相比反应溅射法的优势 | 第24页 |
| 2.3 薄膜制备实验平台 | 第24-26页 |
| 2.3.1 磁控溅射 | 第24-25页 |
| 2.3.2 快速退火 | 第25-26页 |
| 2.4 表征分析 | 第26-30页 |
| 2.4.1 XP-200 膜厚测试仪 | 第26页 |
| 2.4.2 电学测试平台 | 第26-27页 |
| 2.4.3 X 射线衍射(XRD) | 第27-28页 |
| 2.4.4 XPS | 第28-30页 |
| 第三章 . 厚度对薄膜 VO_2相变特性的影响研究 | 第30-43页 |
| 3.1 实验说明 | 第30-34页 |
| 3.1.1 实验步骤 | 第30-31页 |
| 3.1.2 氧化温度的确定 | 第31-33页 |
| 3.1.3 氧化时间优化 | 第33页 |
| 3.1.4 工艺参数 | 第33-34页 |
| 3.2 测试与分析 | 第34-43页 |
| 3.2.1 XRD 分析 | 第34-35页 |
| 3.2.2 扫描电镜 | 第35-38页 |
| 3.2.3 电学特性 | 第38-40页 |
| 3.2.4 回滞宽度 | 第40-43页 |
| 第四章 . 掺杂对薄膜 VO_2相变特性的影响研究 | 第43-59页 |
| 4.1 掺杂改变 VO_2性能的机理 | 第43-44页 |
| 4.1.1 应力理论 | 第43页 |
| 4.1.2 化合价理论 | 第43-44页 |
| 4.2 溅射氧化耦合法掺杂 | 第44-46页 |
| 4.2.1 实验方法 | 第44-45页 |
| 4.2.2 实验参数 | 第45-46页 |
| 4.3 掺杂氧化钒的测试分析 | 第46-59页 |
| 4.3.1 掺杂 VO_2的 XPS 分析 | 第46-50页 |
| 4.3.2 Ti 掺杂 VO_2的 XRD 分析 | 第50-51页 |
| 4.3.3 表面形貌 | 第51-52页 |
| 4.3.4 电学特性分析 | 第52-54页 |
| 4.3.5 回滞宽度 | 第54-57页 |
| 4.3.6 相变温度 | 第57-59页 |
| 第五章 . 结论 | 第59-61页 |
| 5.1 结论 | 第59-60页 |
| 5.2 展望 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
| 攻读硕士期间的成果 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
