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Ⅱ-Ⅵ族半导体/氧化锌纳米结构复合薄膜的制备及其光电化学特性研究

中文摘要第4-6页
Abstract第6-8页
第一章 绪论第13-35页
    1.1 引言第13页
    1.2 太阳能电池的研究第13-15页
    1.3 量子点敏化太阳能电池的研究第15-30页
        1.3.1 量子点敏化剂的特性第16-17页
        1.3.2 量子点敏化太阳能电池的结构和组成第17-21页
        1.3.3 量子点敏化太阳能电池的工作机理第21-24页
        1.3.4 提高量子点敏化太阳能电池效率的方法第24-30页
    1.4 氧化锌的性质及研究第30-33页
        1.4.1 氧化锌的基本性质第30-31页
        1.4.2 氧化锌在太阳能电池中的应用第31-33页
    1.5 本论文的选题依据和主要内容第33-35页
第二章 CdSe 敏化 Al 掺杂 ZnO 纳米棒阵列复合薄膜的制备及其光电化学性能第35-56页
    2.1 引言第35-36页
    2.2 实验试剂和仪器设备第36-37页
        2.2.1 实验试剂第36页
        2.2.2 仪器设备第36-37页
    2.3 Al 掺杂 ZnO 纳米棒阵列薄膜的制备与表征第37-43页
        2.3.1 实验过程第37-39页
        2.3.2 Al 掺杂 ZnO 纳米棒阵列薄膜的表征第39-43页
    2.4 CdSe 敏化 Al 掺杂 ZnO 纳米棒阵列薄膜的制备及其光电化学性能研究第43-54页
        2.4.1 CdSe 敏化 Al 掺杂 ZnO 纳米棒阵列薄膜的制备第43-44页
        2.4.2 CdSe 敏化 Al 掺杂 ZnO 纳米棒阵列薄膜的表征第44-46页
        2.4.3 CdSe 敏化 Al 掺杂 ZnO 纳米棒阵列薄膜性质研究第46-54页
    2.5 本章小结第54-56页
第三章 大面积高能面裸露的 ZnO 纳米片阵列薄膜的制备及其光电化学性能第56-70页
    3.1 引言第56-57页
    3.2 ZnO 纳米片阵列薄膜的制备第57页
    3.3 ZnO 纳米片阵列薄膜的表征第57-59页
        3.3.1 ZnO 纳米片阵列薄膜的结构分析第57-58页
        3.3.2 ZnO 纳米片阵列薄膜的形貌特征第58-59页
    3.4 反应条件对形貌演变的影响第59-64页
        3.4.1 柠檬酸钠浓度对 ZnO 纳米片阵列薄膜形貌的影响第59-61页
        3.4.2 反应时间对 ZnO 纳米片阵列薄膜厚度的影响第61-62页
        3.4.3 ZnO 纳米片阵列薄膜生长机理第62-64页
    3.5 ZnO 纳米片阵列薄膜的性质研究第64-68页
        3.5.1 UV-visible 光吸收特性分析第64-65页
        3.5.2 光电化学性能研究第65-68页
    3.6 本章小结第68-70页
第四章 Ⅱ-Ⅵ族半导体/ZnO 纳米片阵列复合薄膜的制备及其光电化学性能研究第70-92页
    4.1 引言第70页
    4.2 CdS 敏化 ZnO 纳米片阵列薄膜的制备及其光电化学性能研究第70-77页
        4.2.1 CdS 敏化 ZnO 纳米片阵列薄膜的制备第70-71页
        4.2.2 CdS 敏化 ZnO 纳米片阵列薄膜的表征第71-75页
        4.2.3 CdS 敏化 ZnO 纳米片阵列薄膜的性质研究第75-77页
    4.3 CdSe 敏化 ZnO 纳米片阵列薄膜的制备及其光电化学性能研究第77-79页
        4.3.1 CdSe 敏化 ZnO 纳米片阵列薄膜的制备第77-78页
        4.3.2 CdSe 敏化 ZnO 纳米片阵列薄膜的性质研究第78-79页
    4.4 CdS/CdSe 共敏化 ZnO 纳米片阵列薄膜的制备及其光电化学性能研究第79-89页
        4.4.1 CdS/CdSe 共敏化 ZnO 纳米片阵列薄膜的制备第79-80页
        4.4.2 CdS/CdSe 共敏化 ZnO 纳米片阵列薄膜的表征第80-84页
        4.4.3 CdS/CdSe 共敏化 ZnO 纳米片阵列薄膜的性质研究第84-89页
    4.5 本章小结第89-92页
第五章 结论与展望第92-96页
    5.1 本文结论第92-94页
    5.2 工作展望第94-96页
参考文献第96-109页
作者简历第109-110页
攻读博士学位期间发表的学术论文第110-112页
致谢第112页

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