| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 二氧化钒 | 第11-15页 |
| 1.2.1 二氧化钒结构与特性简介 | 第11-12页 |
| 1.2.2 二氧化钒的研究现状 | 第12-15页 |
| 1.3 太赫兹技术 | 第15-17页 |
| 1.3.1 太赫兹的特性简介 | 第15-16页 |
| 1.3.2 基于超材料的太赫兹调制器件研究进展 | 第16-17页 |
| 1.4 论文内容 | 第17-19页 |
| 第二章 二氧化钒薄膜的制备及测试与表征 | 第19-26页 |
| 2.1 二氧化钒薄膜的主要制备方法 | 第19-20页 |
| 2.2 射频磁控溅射法制备二氧化钒薄膜 | 第20-21页 |
| 2.2.1 工作原理 | 第20页 |
| 2.2.2 实验操作 | 第20-21页 |
| 2.3 二氧化钒薄膜的性能测试表征方法 | 第21-26页 |
| 2.3.1 X射线衍射 | 第21-22页 |
| 2.3.2 电学性能的测试 | 第22-23页 |
| 2.3.3 扫描电子显微镜 | 第23-24页 |
| 2.3.4 原子力显微镜 | 第24页 |
| 2.3.5 太赫兹时域光谱测试系统 | 第24-26页 |
| 第三章 相变二氧化钒薄膜的制备及其性能研究 | 第26-37页 |
| 3.1 引言 | 第26页 |
| 3.2 氧分压对薄膜性能影响的研究 | 第26-31页 |
| 3.2.1 XRD测试 | 第27-28页 |
| 3.2.2 SEM测试 | 第28-29页 |
| 3.2.3 电学性能测试 | 第29-31页 |
| 3.3 衬底温度对薄膜性能影响的研究 | 第31-36页 |
| 3.3.1 XRD测试 | 第32-33页 |
| 3.3.2 SEM测试 | 第33-34页 |
| 3.3.3 电学性能测试 | 第34-36页 |
| 3.4 小结 | 第36-37页 |
| 第四章 基于金属-氧化物-金属结构的二氧化钒薄膜电致相变研究 | 第37-54页 |
| 4.1 引言 | 第37页 |
| 4.2 氧分压对薄膜性能的影响 | 第37-40页 |
| 4.2.1 XRD测试 | 第38-39页 |
| 4.2.2 电学性能测试 | 第39-40页 |
| 4.3 缓冲层对薄膜性能的影响 | 第40-47页 |
| 4.3.1 XRD测试 | 第41-42页 |
| 4.3.2 SEM测试 | 第42-44页 |
| 4.3.3 AFM测试 | 第44-46页 |
| 4.3.4 电学性能测试 | 第46-47页 |
| 4.4 采用三明治结构的二氧化钒薄膜电致相变研究 | 第47-53页 |
| 4.4.1 不同氧分压下薄膜的I-V测试 | 第48-50页 |
| 4.4.2 不同二氧化硅缓冲层厚度的薄膜I-V测试 | 第50-53页 |
| 4.5 小结 | 第53-54页 |
| 第五章 二氧化钒薄膜对太赫兹的调制性能研究 | 第54-69页 |
| 5.1 引言 | 第54页 |
| 5.2 基底对太赫兹的性能测试 | 第54-55页 |
| 5.3 相变二氧化钒薄膜对太赫兹的响应性能研究 | 第55-60页 |
| 5.3.1 反射测试 | 第55-57页 |
| 5.3.2 透射测试 | 第57-60页 |
| 5.4 太赫兹调制器件的调制性能研究 | 第60-68页 |
| 5.4.1 太赫兹调制器件的结构与工作原理 | 第61-62页 |
| 5.4.2 太赫兹调制器件的仿真设计 | 第62-65页 |
| 5.4.3 太赫兹调制器件的调制性能测试 | 第65-68页 |
| 5.5 小结 | 第68-69页 |
| 第六章 结论与展望 | 第69-71页 |
| 6.1 结论 | 第69页 |
| 6.2 展望 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-77页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第77-78页 |