| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 薄膜晶体管的历史背景 | 第9-11页 |
| 1.2 薄膜晶体管的应用及研究现状 | 第11-15页 |
| 1.3 薄膜晶体管的结构、原理及性能表征 | 第15-19页 |
| 1.4 本文的研究目标及选题意义 | 第19-20页 |
| 1.5 论文的主要内容和章节安排 | 第20-21页 |
| 第二章 退火温度对IZO:LI/ZTO:LI TFT性能的影响 | 第21-28页 |
| 2.1 IZO:LI/ZTO:LI双有源层TFT的制备 | 第21-22页 |
| 2.2 不同退火温度下的IZO:LI/ZTO:LI双有源层TFT性能分析 | 第22-27页 |
| 2.3 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 有源层厚度对IZO:LI/ZTO:LI TFT性能的影响 | 第28-42页 |
| 3.1 TFT器件的制备 | 第28-29页 |
| 3.2 不同有源层厚度的TFT器件性能分析 | 第29-40页 |
| 3.3 本章小结 | 第40-42页 |
| 第四章 氩氧比对IZO:LI/ZTO:LI TFT性能的影响 | 第42-47页 |
| 4.1 IZO:LI/ZTO:LI双有源层TFT器件的制备 | 第42-43页 |
| 4.2 不同氩氧比下的IZO:LI/ZTO:LI双有源层TFT器件性能分析 | 第43-46页 |
| 4.3 本章小结 | 第46-47页 |
| 第五章 结论 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-52页 |
| 作者简历及攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第52-54页 |
| 学位论文数据集 | 第54页 |
