| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-32页 |
| 1.1 前言 | 第11页 |
| 1.2 SiC简介 | 第11-12页 |
| 1.3 一维SiC纳米材料 | 第12-14页 |
| 1.4 SiC纳米线的制备方法 | 第14-26页 |
| 1.4.1 模板生长法 | 第14-16页 |
| 1.4.2 碳热还原法 | 第16-19页 |
| 1.4.3 化学气相沉积法 | 第19-21页 |
| 1.4.4 微波加热法 | 第21-23页 |
| 1.4.5 激光烧蚀法 | 第23-24页 |
| 1.4.6 电弧放电法 | 第24-25页 |
| 1.4.7 聚合物前驱体热解法 | 第25-26页 |
| 1.5 SiC纳米线的生长机理 | 第26-29页 |
| 1.5.1 VLS机制 | 第27-28页 |
| 1.5.2 VS机制 | 第28页 |
| 1.5.3 SolutionLS机制 | 第28-29页 |
| 1.5.4 SLS机制 | 第29页 |
| 1.5.5 OAG机制 | 第29页 |
| 1.6 本文主要研究内容及方案 | 第29-32页 |
| 第2章 试验材料与方法 | 第32-42页 |
| 2.1 试验材料 | 第32-35页 |
| 2.1.1 试验材料的优选 | 第32-34页 |
| 2.1.2 试验材料的确定 | 第34-35页 |
| 2.2 试验仪器设备 | 第35页 |
| 2.3 试验方法 | 第35-37页 |
| 2.4 材料组织结构分析方法 | 第37-42页 |
| 2.4.1 扫描电子显微镜 | 第37-38页 |
| 2.4.2 透射电子显微镜 | 第38-40页 |
| 2.4.3 X-射线衍射 | 第40-42页 |
| 第3章 SiC纳米线制备及测试表征研究 | 第42-54页 |
| 3.1 引言 | 第42页 |
| 3.2 原材料球磨工艺的研究 | 第42-45页 |
| 3.2.1 石墨-硅粉体原材料的球磨 | 第42-44页 |
| 3.2.2 不同球磨参数对实验结果的影响 | 第44-45页 |
| 3.3 SiC纳米线的制备过程 | 第45-46页 |
| 3.3.1 实验用石墨-硅粉体的准备 | 第45-46页 |
| 3.3.2 石墨-硅粉体制备SiC纳米线 | 第46页 |
| 3.4 SiC纳米线的测试表征 | 第46-53页 |
| 3.4.1 纳米线的SEM测试表征 | 第46-49页 |
| 3.4.2 纳米线的EDS测试表征 | 第49-50页 |
| 3.4.3 纳米线的XRD测试表征 | 第50-51页 |
| 3.4.4 纳米线的TEM测试表征 | 第51-53页 |
| 3.5 本章小结 | 第53-54页 |
| 第4章 不同变量对SiC纳米线生长的影响 | 第54-71页 |
| 4.1 引言 | 第54页 |
| 4.2 不同盛放模具的影响 | 第54-57页 |
| 4.3 不同催化剂的影响 | 第57-59页 |
| 4.4 不同反应温度的影响 | 第59-61页 |
| 4.5 不同保温时间的影响 | 第61-62页 |
| 4.6 不同真空度的影响 | 第62-65页 |
| 4.7 不同反应物的影响 | 第65-66页 |
| 4.8 不同实验设备的影响 | 第66-70页 |
| 4.9 本章小结 | 第70-71页 |
| 第5章 SiC纳米线的微结构控制与生长机理研究 | 第71-83页 |
| 5.1 前言 | 第71页 |
| 5.2 纳米线的微结构控制 | 第71-75页 |
| 5.2.1 纳米线的尺寸控制 | 第71-72页 |
| 5.2.2 纳米线的生长方向控制 | 第72-73页 |
| 5.2.3 纳米线的形貌控制 | 第73-74页 |
| 5.2.4 纳米线的缺陷控制 | 第74-75页 |
| 5.3 纳米线生长热力学 | 第75-78页 |
| 5.3.1 热力学理论 | 第75页 |
| 5.3.2 反应焓变ΔH及吉布斯自由能变ΔG的计算 | 第75-78页 |
| 5.4 纳米线生长过程 | 第78-80页 |
| 5.4.1 准备阶段 | 第78-79页 |
| 5.4.2 形核阶段 | 第79页 |
| 5.4.3 生长阶段 | 第79-80页 |
| 5.5 纳米线生长机理 | 第80-82页 |
| 5.6 本章小结 | 第82-83页 |
| 结论 | 第83-85页 |
| 参考文献 | 第85-91页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第91-93页 |
| 致谢 | 第93-94页 |