| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 铁电材料及其分类 | 第9-10页 |
| 1.1.1 铁电材料简介 | 第9页 |
| 1.1.2 铁电材料的分类 | 第9-10页 |
| 1.2 铁电薄膜概述 | 第10-12页 |
| 1.2.1 铁电薄膜简介 | 第10页 |
| 1.2.2 铁电薄膜的制备技术 | 第10-11页 |
| 1.2.3 铁电薄膜的应用 | 第11-12页 |
| 1.3 铁电存储器 | 第12-14页 |
| 1.3.1 铁电存储器简介 | 第12页 |
| 1.3.2 铁电存储器的发展 | 第12-13页 |
| 1.3.3 铁电存储器的分类 | 第13-14页 |
| 1.4 铁电栅薄膜晶体管 | 第14-18页 |
| 1.4.1 铁电栅薄膜晶体管的发展现状 | 第14-15页 |
| 1.4.2 铁电栅薄膜晶体管的工作原理 | 第15-16页 |
| 1.4.3 铁电栅薄膜晶体管的材料选择和特性 | 第16-18页 |
| 1.5 本论文的选题依据和主要内容 | 第18-21页 |
| 1.5.1 选题依据 | 第18-20页 |
| 1.5.2 主要内容 | 第20-21页 |
| 第2章 LNO 导电薄膜的制备及表征 | 第21-29页 |
| 2.1 引言 | 第21页 |
| 2.2 LNO 薄膜的制备及表征方法 | 第21-24页 |
| 2.2.1 LNO 薄膜的主要表征方法 | 第23-24页 |
| 2.3 基底温度对 LNO 薄膜结构和性能的影响 | 第24-26页 |
| 2.3.1 基底温度对 LNO 薄膜结晶性的影响 | 第24-25页 |
| 2.3.2 基底温度对 LNO 薄膜电阻率的影响 | 第25-26页 |
| 2.4 氧压对 LNO 薄膜结构和性能的影响 | 第26-27页 |
| 2.4.1 氧压对 LNO 薄膜晶体取向的影响 | 第26页 |
| 2.4.2 氧压对 LNO 薄膜电阻率的影响 | 第26-27页 |
| 2.5 LNO 薄膜的表面形貌 | 第27-28页 |
| 2.6 本章小结 | 第28-29页 |
| 第3章 BNT/LNO/Si 结构的制备及表征 | 第29-38页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 BNT/LNO/Si 结构的制备及表征方法 | 第29-31页 |
| 3.2.1 BNT/LNO/Si 结构的制备 | 第29-30页 |
| 3.2.2 BNT/LNO/Si 结构的主要表征方法 | 第30-31页 |
| 3.3 LNO 底电极对 BNT 薄膜结构和性能的影响 | 第31-34页 |
| 3.3.1 LNO 底电极对 BNT 薄膜晶体取向与表面形貌的影响 | 第31-32页 |
| 3.3.2 LNO 底电极对 BNT 薄膜电学性能的影响 | 第32-34页 |
| 3.4 斜切基底对 BNT 薄膜结构和性能的影响 | 第34-36页 |
| 3.4.1 斜切基底对 BNT 薄膜晶体取向与表面形貌的影响 | 第34-35页 |
| 3.4.2 斜切基底对 BNT 薄膜电学性能的影响 | 第35-36页 |
| 3.5 本章小结 | 第36-38页 |
| 第4章 ZnO/BNT/LNO/miscut-Si FGT 的制备及表征 | 第38-44页 |
| 4.1 引言 | 第38页 |
| 4.2 ZnO/BNT/LNO/miscut-Si FGT 的制备及表征方法 | 第38-41页 |
| 4.2.1 ZnO/BNT/LNO/miscut-Si FGT 的制备 | 第38-40页 |
| 4.2.2 ZnO/BNT/LNO/miscut-Si FGT 的主要表征方法 | 第40-41页 |
| 4.3 有源层 ZnO 薄膜的表面形貌 | 第41页 |
| 4.4 ZnO/BNT/LNO/miscut-Si FGT 的电学性能 | 第41-43页 |
| 4.5 本章小结 | 第43-44页 |
| 第5章 结论与展望 | 第44-46页 |
| 5.1 论文总结 | 第44-45页 |
| 5.2 研究展望 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 攻读硕士学位期间的论文发表情况 | 第54页 |
