| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第13-28页 |
| 1.1 拉曼散射 | 第13-14页 |
| 1.2 表面增强拉曼光谱 | 第14-26页 |
| 1.2.1 表面增强拉曼散射（SERS）机理 | 第14-18页 |
| 1.2.2 表面增强拉曼散射（SERS）特点和应用 | 第18-20页 |
| 1.2.3 表面增强拉曼活性基底的制备 | 第20-26页 |
| 1.2.3.1 电化学氧化还原循环法和真空沉积法 | 第20-21页 |
| 1.2.3.2 金属纳米颗粒自组装制备有序结构SERS基底 | 第21页 |
| 1.2.3.3 LB薄膜自组装技术 | 第21-22页 |
| 1.2.3.4 平版印刷和纳米压印技术制备SERS基底 | 第22-24页 |
| 1.2.3.5 模板法制备有序结构SERS基底 | 第24-26页 |
| 1.3 论文的主要内容及研究意义 | 第26-28页 |
| 第二章 超薄氧化铝模板的制备及表征 | 第28-44页 |
| 2.1 引言 | 第28-30页 |
| 2.2 实验部分 | 第30-34页 |
| 2.2.1 实验仪器及设备 | 第30页 |
| 2.2.2 实验试剂 | 第30-32页 |
| 2.2.3 超薄氧化铝模板的制备步骤 | 第32-34页 |
| 2.3 实验结果与讨论 | 第34-42页 |
| 2.3.1 阳极氧化电压对超薄氧化铝模板的影响 | 第34-37页 |
| 2.3.2 扩孔时间对超薄氧化铝模板的影响 | 第37-39页 |
| 2.3.3 二次氧化时间对超薄氧化铝模板的影响 | 第39-42页 |
| 2.4 本章小结 | 第42-44页 |
| 第三章 银纳米点阵SERS基底的可控制备 | 第44-54页 |
| 3.1 引言 | 第44-46页 |
| 3.2 实验部分 | 第46-48页 |
| 3.2.1 实验仪器及试剂 | 第46页 |
| 3.2.2 银纳米点阵SERS基底的制备 | 第46-47页 |
| 3.2.3 银纳米点阵SERS基底的拉曼表征 | 第47-48页 |
| 3.3 实验结果与讨论 | 第48-53页 |
| 3.3.1 银纳米点阵SERS基底的结构表征 | 第48-49页 |
| 3.3.2 银纳米点阵SERS基底的性能考察 | 第49-53页 |
| 3.3.2.1 具有不同结构形貌的银点阵对基底SERS性能的影响 | 第49-52页 |
| 3.3.2.2 SERS基底的信号均一性 | 第52-53页 |
| 3.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 第四章 嵌入式银纳米点阵的制备及其高SERS测试 | 第54-71页 |
| 4.1 引言 | 第54-55页 |
| 4.2 实验部分 | 第55-59页 |
| 4.2.1 实验仪器及试剂 | 第55-56页 |
| 4.2.2 铝凹坑阵列的制备 | 第56-57页 |
| 4.2.3 嵌入式银纳米点阵活性基底的制备 | 第57页 |
| 4.2.4 样品的表征及SERS测试 | 第57页 |
| 4.2.5 嵌入式纳米点阵制备流程图 | 第57-59页 |
| 4.3 实验结果与讨论 | 第59-69页 |
| 4.3.1 银纳米点阵活性基底的表征及SERS性能测试 | 第59-60页 |
| 4.3.2 银纳米点阵基底的SERS性能测试 | 第60-62页 |
| 4.3.3 银沉积厚度对嵌入式Ag/Al点阵结构的影响 | 第62-63页 |
| 4.3.4 银沉积厚度对嵌入式Ag/Al基底SERS的影响 | 第63-64页 |
| 4.3.5 银的蒸发速率对嵌入式Ag/Al点阵结构的影响 | 第64-65页 |
| 4.3.6 银的蒸发速率对嵌入式Ag/Al点阵SERS的影响 | 第65-66页 |
| 4.3.7 阳极氧化电压对嵌入式Ag/Al点阵基底的影响 | 第66-67页 |
| 4.3.8 阳极氧化电压对嵌入式Ag/Al基底SERS性能影响 | 第67-68页 |
| 4.3.9 蒸发角度对嵌入式Ag/Al点阵结构的影响 | 第68-69页 |
| 4.4 本章小结 | 第69-71页 |
| 第五章 结论与展望 | 第71-73页 |
| 5.1 结论 | 第71-72页 |
| 5.2 展望 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-86页 |
| 作者在攻读硕士学位期间公开发表的论文和专利 | 第86-87页 |
| 致谢 | 第87页 |
